专利详细信息
文献类型:专利
专利类型:发明专利
是否失效:否
是否授权:否
申 请 号:CN201310425185.6
申 请 日:20130917
申 请 人:南京中科微电子有限公司
申请人地址:210046 江苏省南京市玄武区玄武大道699-27号徐庄软件基地管委会研发三区05幢一层
公 开 日:20160817
公 开 号:CN103475309B
代 理 人:刘杰
代理机构:11302 北京华沛德权律师事务所
语 种:中文
摘 要:本发明公开了一种恒定调谐增益压控振荡器,属于射频集成电路技术领域。所述恒定调谐增益压控振荡器包括:电感电容谐振电路、两对交叉耦合连接的晶体管、固定电容阵列、可变电容阵列;可变电容阵列包括:容抗管单元;容抗管单元包括若干并联连接的容抗管。本发明根据振荡频率的变化利用数字控制信号调整接入谐振回路的可变电容的大小,通过若干并联连接的容抗管形成的容抗管单元优化增益曲线的线性度,使得单条调谐曲线上的增益趋于恒定;若干并联连接的容抗管单元形成的可变电容阵列使得不同的调谐曲线之间也能实现趋于恒定的调谐增益。
主 权 项:1.一种恒定调谐增益压控振荡器,其特征在于,包括:电感电容谐振电路、固定电容阵列和可变电容阵列;所述电感电容谐振电路包括:电感L和电容、N型晶体管Q3、N型晶体管Q4、P型晶体管Q1以及P型晶体管Q2;电感L和电容并联连接;所述电感L的两端对应连接压控振荡器的两个振荡输出端OP和ON,所述电容的两端对应连接压控振荡器的两个振荡输出端OP和ON;所述P型晶体管Q1的源极和所述P型晶体管Q2的源极相连,所述P型晶体管Q1的漏极与所述压控振荡器的振荡输出端OP相连,所述P型晶体管Q2的漏极与所述压控振荡器的振荡输出端ON相连,所述P型晶体管Q1的栅极与所述压控振荡器的振荡输出端ON相连,所述P型晶体管Q2的栅极与所述压控振荡器的振荡输出端OP相连;所述N型晶体管Q3的源极与所述N型晶体管Q4的源极相连;所述N型晶体管Q3的漏极与所述压控振荡器的振荡输出端OP相连,所述N型晶体管Q4的漏极与所述压控振荡器的振荡输出端ON相连,所述N型晶体管Q3的栅极与所述压控振荡器的振荡输出端ON相连,所述N型晶体管Q4的栅极与所述压控振荡器的振荡输出端OP相连;所述固定电容阵列以及所述可变电容阵列均连接在两个振荡输出端OP和ON之间;所述可变电容阵列包括:两个或者两个以上容抗管单元;所述两个或者两个以上容抗管单元包括并联连接的两个或者两个以上容抗管;其中,可变电容阵列采用并联连接的多个容抗管单元,并通过分压电阻形成不同的电位点,将容抗管单元接入不同的电位点,从而获取不同的偏置电压偏置所述容抗管单元;所述容抗管单元中并联连接的多个容抗管通过不同的偏置电压偏置。
关 键 词:调谐 容抗 管单元 恒定 可变电容阵列 并联连接 压控振荡器 电感电容谐振电路 固定电容阵列 交叉耦合连接 射频集成电路 数字控制信号 可变电容 谐振回路 增益曲线 振荡频率 恒定的 线性度 晶体管 单条 优化
IPC专利分类号:H03B5/08(20060101)
参考文献:
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二级参考文献:
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耦合文献:
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引证文献:
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二级引证文献:
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同被引文献:
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