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专利详细信息

一种DC-DC电源模块的PCB布局结构       

文献类型:专利

专利类型:发明专利

是否失效:

是否授权:

申 请 号:CN201310413311.6

申 请 日:20130912

发 明 人:张福新 刘瑞斌 吴少刚 徐锋 于苏娟 崔太有

申 请 人:江苏中科梦兰电子科技有限公司

申请人地址:215500 江苏省苏州市常熟市虞山镇梦兰工业园

公 开 日:20160928

公 开 号:CN103490593B

代 理 人:柏尚春

代理机构:32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)

语  种:中文

摘  要:本发明公开了一种DC‑DC电源模块的PCB布局结构,电感、下MOSFET以及输出电容位于第一PCB板面上,上MOSFET以及输入电容位于第二PCB板面上;上MOSFET与输入电容位置相邻;下MOSFET的漏极与上MOSFET的源极对称叠放,并通过过孔相连;下MOSFET与上MOSFET与电感前端相连,并在连接处铺设大面积铜;输入电容与电感后端相邻,下MOSFET与电感前端相邻;输出电容与电感后端紧邻,并通过铜平面连接。其优点在于缩小了DC‑DC电源电路的两个大电流回路面积,并且减小了回路对外的电磁辐射,更加有利于周边芯片和走线信号正常通信。

主 权 项:1.一种DC-DC电源模块的PCB布局结构,其特征在于,包括电感(1)、上MOSFET管(4)、下MOSFET管(2)、输入电容(5)以及输出电容(3);其中,电感(1)、下MOSFET管(2)以及输出电容(3)位于第一PCB板面上,上MOSFET管(4)以及输入电容(5)位于第二PCB板面上;上MOSFET管(4)与输入电容(5)位置相邻,输入电容(5)的接地铺设大面积铜,并通过过孔到相邻的地平面;下MOSFET管(2)的漏极与上MOSFET管(4)的源极对称叠放,并通过过孔相连;下MOSFET管(2)与上MOSFET管(4)与电感(1)前端相连,并在连接处铺设大面积铜;输入电容(5)与电感(1)后端相邻,下MOSFET管(2)与电感(1)前端相邻;输出电容(3)与电感(1)后端紧邻,并通过铜平面连接,输出电容(3)的接地铺设大面积铜,并通过过孔到相邻的地平面;所述大面积铜的面积与所需通过电流成正比,1A铺设40mil以上的铜。

关 键 词:电感  输入电容 输出电容 大电流回路  电磁辐射 平面连接  正常通信  周边芯片  叠放 减小  漏极  源极  走线  对称  铺设  

IPC专利分类号:H02M3/00(20060101);H05K1/18(20060101)

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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二级引证文献:

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同被引文献:

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