专利详细信息
文献类型:专利
专利类型:发明专利
是否失效:否
是否授权:否
申 请 号:CN201210270383.5
申 请 日:20120731
申 请 人:昆山光微电子有限公司
申请人地址:215325 江苏省苏州市昆山市周庄镇大桥路145号
公 开 日:20151007
公 开 号:CN103569946B
代 理 人:盛建德
代理机构:32212 昆山四方专利事务所
语 种:中文
摘 要:本发明公开了一种非制冷光读出红外成像焦平面阵列探测器制作方法,该制作方法以多牺牲层技术为基础,在透明衬底上制作可动微悬臂梁阵列,利用微悬臂梁阵列的热——机械特性检出目标物体的红外辐射场分布。该制作方法可解决传统硅衬底上制作的非制冷红外焦平面阵列器件制作工艺复杂、封装困难等问题,同时该制作方法制作的焦平面阵列探测器既避免了硅衬底对于目标物体红外辐射能量影响,提高系统红外辐射利用率,避免复杂的体硅去除工艺,更加易于圆片级封装。
主 权 项:1.一种非制冷光读出红外成像焦平面阵列探测器制作方法,其特征在于包括以下步骤:①在一透明衬底(1)的上侧面上淀积一层第一牺牲层(2),且所述透明衬底对读出光路中的可见光透明;②在上述第一牺牲层(2)的上侧面上进行选择性刻蚀以获得锚点的图形(21);③在上述第一牺牲层的上侧面上制作微悬臂梁单元(3),该微悬臂梁单元的一端通过所述锚点的图形与所述透明衬底连接;④在上述微悬臂梁单元和第一牺牲层的上侧面上共同覆盖第二牺牲层(4);⑤在非对应所述悬臂梁单元的第二牺牲层的上侧面上选择性蚀刻出若干个盲槽(41),且该盲槽贯穿所述第二牺牲层及第一牺牲层至所述透明衬底;⑥在上述第二牺牲层的上侧面上及若干个盲槽内淀积第一封装材料(5),该第一封装材料完全填充所述若干个盲槽及完全覆盖所述第二牺牲层的上侧面;⑦在上述第一封装材料的上侧面上制作若干个释放盲孔(51),该释放盲孔贯穿第一封装材料至第二牺牲层,至此形成带释放盲孔的封装壳;⑧将上述第二牺牲层和第一牺牲层从所述释放盲孔释放去除;⑨将上述封装壳在真空环境下抽去残气后,在上述第一封装材料上侧面上淀积第二封装材料(6)以封闭封装壳,从而完成晶圆级封装。
关 键 词:焦平面阵列探测器 红外辐射 目标物体 微悬臂梁 硅衬底 制作 非制冷红外焦平面 红外辐射能量 牺牲层技术 圆片级封装 红外成像 去除工艺 提高系统 透明衬底 阵列器件 制作工艺 场分布 非制冷 光读出 检出 可动 体硅 一种 封装 复杂 公开 影响 解决
IPC专利分类号:B81C1/00(20060101)
参考文献:
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引证文献:
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同被引文献:
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