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专利详细信息

一种含铕的氟化钙晶体、制备方法及用途       

文献类型:专利

专利类型:发明专利

是否失效:

是否授权:

申 请 号:CN201410575257.X

申 请 日:20141024

发 明 人:甄西合 张钦辉 徐超 刘建强 史达威 王琦

申 请 人:北京首量科技有限公司

申请人地址:101111 北京市通州区中关村科技园区通州园光机电一体化产业基地兴光四街5号

公 开 日:20150218

公 开 号:CN104357903A

代 理 人:胡静

代理机构:11282 北京中海智圣知识产权代理有限公司

语  种:中文

摘  要:本发明涉及晶体生长技术领域,具体涉及一种含铕的氟化钙晶体、制备方法及用途。本发明提供的含铕的氟化钙晶体可以使用Co60照射,通过RCA8850光电倍增管测量晶体的光产额,结果表明本发明提供的含铕的氟化钙晶体在含量较少的情况下,使氟化钙晶体具有了优异的具有闪烁晶体吸收高能粒子能量后发出一定波长闪烁荧光的性能。特别是晶体的相对光输出与硅酸钇镥闪烁(LYSO)晶体相当。此外,由于含量低,还利于生长高光学质量的晶体。本发明还提供了含铕的氟化钙晶体的制备方法及用途。

主 权 项:1.一种含铕的氟化钙晶体,包括氟化钙晶体,其特征在于,所述晶体包括铕元素。

关 键 词:氟化钙晶体 制备方法及用途  闪烁  晶体生长技术  光电倍增管  相对光输出  测量晶体  高能粒子 光学质量  闪烁晶体 光产额 硅酸钇 波长  荧光  照射  生长  

IPC专利分类号:C30B29/12(20060101);C30B11/00(20060101);C30B15/00(20060101);G01T1/202(20060101)

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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二级引证文献:

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同被引文献:

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