文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201410764269.7

申 请 日：20141212

发 明 人：姜浩 黄德萍 朱鹏 李占成 高翾 张永娜 史浩飞 杜春雷

申 请 人：重庆墨希科技有限公司 中国科学院重庆绿色智能技术研究院

申请人地址：401329 重庆市九龙坡区凤笙路15号附3号

公 开 日：20150422

公 开 号：CN104528694A

代 理 人：杨立

代理机构：11212 北京轻创知识产权代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明涉及石墨烯生产技术领域，尤其涉及一种石墨烯掺杂转移方法，包括以下步骤：步骤一，在生长石墨烯表面涂布高分子掺杂转移介质；步骤二，将得到的涂布有掺杂转移介质的石墨烯压合贴附在目标基底表面上，形成由目标基底、掺杂转移介质、石墨烯和生长基底依次组成的复合结构；步骤三，对所述复合结构进行加压真空处理；步骤四，对进行加压真空处理后的复合结构进行加热处理；步骤五，对加热处理后的复合结构进行分离处理，分离掉复合结构中的生长基底。本发明的有益效果是：选用具有掺杂效果的高分子材料同时作为石墨烯转移材料和掺杂材料，利用高分子的稳定性特点提高掺杂稳定性，省去后续石墨烯掺杂步骤，简化了石墨烯生产工艺。

主 权 项：1.一种石墨烯掺杂转移方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在生长石墨烯表面涂布高分子掺杂转移介质(2)；步骤二，将得到的涂布有掺杂转移介质的石墨烯压合贴附在目标基底表面上，形成由目标基底(1)、掺杂转移介质(2)、石墨烯(3)和生长基底(4)依次组成的复合结构；步骤三，对所述复合结构进行加压真空处理；步骤四，对进行加压真空处理后的复合结构进行加热处理；步骤五，对加热处理后的复合结构进行分离处理，分离掉复合结构中的生长基底(4)。

关 键 词：石墨烯 掺杂 复合结构 加热处理  加压真空  转移  目标基  基底 生长  高分子材料 表面涂布 掺杂材料  分离处理  转移材料  压合  生产工艺  

IPC专利分类号：C01B31/04(20060101)