专利详细信息
文献类型:专利
专利类型:发明专利
是否失效:否
是否授权:否
申 请 号:CN201310566679.6
申 请 日:20131113
申 请 人:沈阳中科微电子有限公司
申请人地址:110167 辽宁省沈阳市东陵区上深沟村860-2号(2门401)B422室
公 开 日:20150520
公 开 号:CN104639051A
代 理 人:史旭泰
代理机构:21107 沈阳亚泰专利商标代理有限公司
语 种:中文
摘 要:一种抑制温漂的功率放大器偏置电路属于射频功率放大器技术领域,尤其涉及一种抑制温漂的功率放大器偏置电路。本发明提供的一种可抑制随温度升高引发的放大管电流增加的抑制温漂的功率放大器偏置电路。本发明包括偏置主体电路和抑制温漂电流镜,其结构要点偏置主体电路包括三极管Ⅰ、三极管Ⅱ、三极管Ⅲ、三极管Ⅳ、电阻Ⅰ、电阻Ⅱ和电阻Ⅲ,抑制温漂电流镜包括三极管Ⅴ、三极管Ⅵ、三极管Ⅶ、电阻Ⅳ和电阻Ⅴ;所述三极管Ⅰ集电极通过电阻Ⅱ接电源,三极管Ⅰ基极分别与电容Ⅰ一端、三极管Ⅱ基极、三极管Ⅱ集电极、电阻Ⅲ一端相连,电容Ⅰ另一端接地,三极管Ⅱ发射极分别与三极管Ⅲ集电极、三极管Ⅴ集电极、电阻Ⅳ一端相连。
主 权 项:1.一种抑制温漂的功率放大器偏置电路,包括偏置主体电路和抑制温漂电流镜,其特征在于偏置主体电路包括三极管Ⅰ、三极管Ⅱ、三极管Ⅲ、三极管Ⅳ、电阻Ⅰ、电阻Ⅱ和电阻Ⅲ,抑制温漂电流镜包括三极管Ⅴ、三极管Ⅵ、三极管Ⅶ、电阻Ⅳ和电阻Ⅴ; 所述三极管Ⅰ集电极通过电阻Ⅱ接电源,三极管Ⅰ基极分别与电容Ⅰ一端、三极管Ⅱ基极、三极管Ⅱ集电极、电阻Ⅲ一端相连,电容Ⅰ另一端接地,三极管Ⅱ发射极分别与三极管Ⅲ集电极、三极管Ⅴ集电极、电阻Ⅳ一端相连,三极管Ⅲ基极分别与三极管Ⅳ集电极、三极管Ⅳ基极、电阻Ⅰ一端相连,电阻Ⅰ另一端分别与三极管Ⅰ发射极、功率放大器输入端相连,三极管Ⅲ与三极管Ⅳ发射极相连接地; 所述三极管Ⅴ基极分别与三极管Ⅵ基极、三极管Ⅵ集电极、三极管Ⅶ发射极相连,三极管Ⅴ发射极、三极管Ⅵ发射极均接地;三极管Ⅶ基极分别与三极管Ⅶ集电极、电阻Ⅴ一端相连,电阻Ⅴ另一端、电阻Ⅳ另一端、电阻Ⅲ另一端、均与电源相连。
关 键 词:三极管 电阻 集电极 功率放大器偏置 电路 主体电路 电流镜 电容 偏置 射频功率放大器 结构要点 接地 发射极 放大管 电流 电源
IPC专利分类号:H03F1/30(20060101)
参考文献:
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二级参考文献:
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耦合文献:
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引证文献:
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二级引证文献:
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同被引文献:
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