文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201510354763.0

申 请 日：20150624

发 明 人：黄伟 李海鸥 于宗光

申 请 人：无锡晶凯科技有限公司

申请人地址：214061 江苏省无锡市湖滨路655号603室

公 开 日：20150916

公 开 号：CN104916685A

代 理 人：许方

代理机构：32200 南京经纬专利商标代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种硅基GaN HEMTs纵向功率器件，包括第一区域和第二区域，所述第一区域与第二区域镜像对称；所述第一区域包括硅衬底、GaN外延层、AlGaN外延层、欧姆接触区、带负电性F-的栅极区、栅极金属、带负电性F<Sup>-</Sup>的埋层区 、带负电性F<Sup>-</Sup>的终端区、SiN介质层、源极金属和漏极金属。本发明还公开了一种硅基GaN HEMTs纵向功率器件的制作方法，本发明采用成熟的硅集成电路制造工艺研制硅基GaN纵向新器件，替代了常规的高成本P-GaN外延制造方法，故可显著降低成本；本发明中将硅F<Sup>-</Sup>离子工艺应用于GaN功率新器件，不但能实现增强型工作机理，更获得了类似VDMOS器件的GaN HEMT纵向器件结构，从而满足大功率功率变换的驱动应用需求。

主 权 项：1. 一种硅基GaN HEMTs纵向功率器件，其特征在于，包括第一区域和第二区域，所述第一区域与第二区域镜像对称；所述第一区域包括硅衬底、GaN外延层、AlGaN外延层、欧姆接触区、带负电性F-的栅极区、栅极金属、带负电性F^-的埋层区 、带负电性F^-的终端区、SiN介质层、源极金属和漏极金属；其中， 所述硅衬底、GaN外延层、AlGaN外延层依次自下而上纵向排列，欧姆接触区与带负电性F-的栅极区并排且有间隔的设置在AlGaN外延层内，欧姆接触区的下表面、带负电性F-的栅极区的下表面均与GaN外延层接触，栅极金属设置在带负电性F-的栅极区的正上方，带负电性F^-的埋层区位于GaN外延层中且紧贴GaN外延层的上表面，带负电性F^-的终端区设置在GaN外延层与AlGaN外延层中且位于带负电性F^-的埋层区的上表面，SiN介质层设置于AlGaN外延层、栅极金属、带负电性F^-的终端区的上表面，源极金属设置在除了带负电性F^-的终端区上方的SiN介质层之外的SiN介质层的上表面、欧姆接触区的上表面，漏极金属置于硅衬底的下表面。

关 键 词：负电性  硅基 第二区域  纵向功率  外延层  集成电路制造工艺 金属 工作机理  功率变换 镜像对称 离子工艺  欧姆接触  应用需求  栅极金属  纵向器件  硅衬底  介质层  终端区 层区  漏极  源极  研制  

IPC专利分类号：H01L29/778(20060101);H01L29/20(20060101);H01L21/336(20060101)