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专利详细信息

实时快速检测晶片基底二维形貌的方法       

文献类型:专利

专利类型:发明专利

是否失效:

是否授权:

申 请 号:CN201410188243.2

申 请 日:20140506

发 明 人:刘健鹏 李成敏 严冬

申 请 人:北京智朗芯光科技有限公司

申请人地址:100191 北京市海淀区知春路27号量子芯座402室

公 开 日:20151125

公 开 号:CN105091777A

代 理 人:刘杰

代理机构:11302 北京华沛德权律师事务所

语  种:中文

摘  要:本发明公开了一种实时快速检测晶片基底二维形貌的方法。该方法包括以下步骤:令N束激光沿晶片基底径向即X方向入射到晶片基底后又分别反射到与入射光一一对应的PSD上,形成N个光斑;根据N个光斑的位置信号,计算晶片基底上任意两个入射点之间在待测基底沿X方向的曲率C<Sub>X</Sub>;根据N个光斑的位置信号,计算晶片基底上任意一个入射点在待测基底移动方向即Y方向的曲率C<Sub>Y</Sub>;其中,N为3以上的自然数;根据各C<Sub>X</Sub>、C<Sub>Y</Sub>的计算结果,得到基底的二维形貌。该方法包括该方法能够与高速旋转的石墨盘上的蓝宝石基底相适应。

主 权 项:1.实时快速检测晶片基底二维形貌的方法,其特征在于,包括以下步骤:令N束激光沿晶片基底径向即X方向入射到晶片基底后又分别反射到与所述入射光一一对应的PSD上,形成N个光斑,根据所述N个光斑的位置信号,计算晶片基底上任意两个入射点之间在待测基底沿X方向的曲率CX,根据所述N个光斑的位置信号,计算晶片基底上任意一个入射点在待测基底移动方向即Y方向的曲率CY,其中,N为3以上的自然数,根据各所述CX、CY的计算结果,得到基底的二维形貌。

关 键 词:基底 光斑 晶片基底  曲率  形貌  计算晶片  位置信号 入射点  待测  二维  蓝宝石基底  基底移动  快速检测  入射光 石墨盘  相适应  自然数 两个  入射 一种  反射  激光  公开  

IPC专利分类号:G01B11/24(20060101)

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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