文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201410216638.9

申 请 日：20140522

发 明 人：徐帆 徐晓威 刘志东 程玉华

申 请 人：上海北京大学微电子研究院

申请人地址：201203 上海市浦东新区盛夏路608号

公 开 日：20151125

公 开 号：CN105097924A

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了DMOS结构及其制造方法，以提高击穿电压，其中该DMOS结构，包括漂移区及位于漂移区中的阱，该阱与漂移区的极型相反，该阱的粒子注入面轮廓线全部或部分是曲线。该方法包括在该漂移区中注入粒子形成阱的步骤，其中注入的粒子需使得该阱的极型和漂移区极型相反，在该步骤中采用的粒子注入表面轮廓线全部或部分是曲线。

主 权 项：1.一种双扩散金属氧化物半导体场效应管结构，包括漂移区及位于漂移区中的阱，该阱与漂移区的极型相反，其特征在于，该阱的粒子注入面轮廓线全部或部分是曲线。

关 键 词：漂移区 极型 粒子注入面轮廓线  表面轮廓线  击穿电压 粒子形成  粒子注入  注入  粒子  公开  

IPC专利分类号：H01L29/78(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/336(20060101);H01L21/265(20060101)