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专利详细信息

一种半导体二极管芯片       

文献类型:专利

专利类型:发明专利

是否失效:

是否授权:

申 请 号:CN201510698067.1

申 请 日:20151026

发 明 人:金豫浙 冯亚萍 薛生杰 李佳佳 李志聪 孙一军 王国宏

申 请 人:扬州中科半导体照明有限公司

申请人地址:225009 江苏省扬州市开发区临江路186号

公 开 日:20160127

公 开 号:CN105280800A

代 理 人:江平

代理机构:32106 扬州市锦江专利事务所

语  种:中文

摘  要:一种半导体二极管芯片,属于半导体生产技术领域,第一导电层设置于第一半导体层上,第一导电层与第一半导体层欧姆接触;第一绝缘层覆盖由第二半导体层、半导体发光层、第一半导体层和第一导电层组成的半导体层侧壁,第一绝缘层还延伸覆盖部分透明载体,本发明的以上两种技术方案都是通过第一金属焊盘对半导体有源区的全覆盖,更好地改善对半导体芯片热传导,不同平台的第一和第二金属焊盘设计也利于正负电极焊接时的不同处理来提高焊接的合格率。

主 权 项:1.一种半导体二极管芯片,包括依次设置在透明载体上的第二半导体层、半导体发光层和第一半导体层;其特征在于:第一导电层设置于第一半导体层上,第一导电层与第一半导体层欧姆接触; 第一绝缘层覆盖由第二半导体层、半导体发光层、第一半导体层和第一导电层组成的半导体层侧壁,第一绝缘层还延伸覆盖部分透明载体; 在第一绝缘层外侧设置第二导电层,并且,第二导电层与第二半导体层形成欧姆接触,第二导电层在半导体层侧壁还延伸至裸露的透明载体上; 在第二导电层外设置第二绝缘层; 第二金属焊盘与延伸至透明载体上的第二导电层欧姆接触; 第一金属焊盘设置在第二绝缘层上,第一金属焊盘覆盖整个发光层,并经过第二绝缘层和第一绝缘层的通孔与第一导电层欧姆接触。

关 键 词:半导体层  第一导电层  绝缘层  金属焊盘  半导体二极管芯片  半导体层侧壁  半导体发光层  半导体有源区  正负电极焊接  半导体生产 半导体芯片 不同处理  不同平台  部分透明  欧姆接触 延伸覆盖  全覆盖  热传导 两种  一种  焊接  合格率  覆盖  设置  设计  改善  组成  

IPC专利分类号:H01L33/62(20100101);H01L33/64(20100101);H01L33/48(20100101);H01L23/544(20060101)

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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二级引证文献:

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同被引文献:

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