文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201510961502.5

申 请 日：20151218

发 明 人：文岐业 张波 李胜 田伟

申 请 人：成都浩博依科技有限公司

申请人地址：610041 四川省成都市武侯区科华北路58号c幢18号

公 开 日：20160330

公 开 号：CN105445965A

代 理 人：袁英

代理机构：成都金英专利代理事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种硅基全光控高速宽带太赫兹调制器及其制备方法，S1：清洗硅基底：选用双面抛光的高阻Si片并清洗干净，用氮气吹干备用；S2：合成深能级杂质源：通过自组装方式在高阻Si片表面制备尺寸纳米Au或Pt颗粒单层膜；S3：高温扩散制备样品：将表面有纳米Au或Pt颗粒薄膜的Si片在惰性气体中热处理10min~120min，用络合物溶液去除掉Si表面残留的Au或Pt，并抛光、清洗，制备得到深能级掺杂的Si样品。本发明提供一种硅基全光控高速宽带太赫兹调制器及其制备方法，通过对高阻硅材料进行纳米金属颗粒深能级掺杂，在Si基体中以引入复合中心，加快光生载流子复合过程，从而实现一种高速光控太赫兹调制器件。

主 权 项：1.一种硅基全光控高速宽带太赫兹调制器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：清洗硅基底：选用双面抛光的高阻Si片并清洗干净，用氮气吹干备用； S2：合成深能级杂质源：通过自组装方式在高阻Si片表面制备尺寸纳米Au或Pt颗粒单层膜； S3：高温扩散制备样品：将表面有纳米Au或Pt颗粒薄膜的Si片在惰性气体中热处理10min~120min，用络合物溶液去除掉Si表面残留的Au或Pt，并抛光、清洗，制备得到深能级掺杂的Si样品。

关 键 词：光控  一种  太赫兹调制器  清洗  高速宽带 制备方法  深能级 高阻  硅基 制备  光生载流子复合  纳米金属颗粒  颗粒单层膜  络合物溶液  深能级杂质 自组装方式  热处理  表面残留  氮气吹干  调制器件  惰性气体  复合中心  高温扩散  颗粒薄膜  双面抛光  制备样品  抛光  掺杂的  高阻硅 硅基底  片表面  太赫兹 除掉  备用  掺杂  合成  选用  干净  引入  公开  加快  进行  

IPC专利分类号：G02F1/015(20060101)