文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201610041286.7

申 请 日：20160121

发 明 人：梁兴勃 王震 陈华 李慎重 杨盛聪 邬幸富 田达晰

申 请 人：浙江金瑞泓科技股份有限公司

申请人地址：315800 浙江省宁波市保税东区0125-3地块

公 开 日：20160504

公 开 号：CN105543951A

代 理 人：黄志达

代理机构：31233 上海泰能知识产权代理事务所

语　　种：中文

摘　　要：本发明涉及一种在高COP硅单晶衬底上制备200mm-300mm低缺陷外延片的方法，包括：(1)将高COP硅单晶衬底在纯氢气气氛中升温至800～850℃，保温5～10s；(2)然后升温至烘烤温度，将外延炉的保护气氛切换为氢气、氩气其中的一种或几种气氛，对上述硅单晶衬底进行烘烤；(3)将外延炉的保护气氛切换为纯氢气气氛，降温至外延生长工艺温度并保温；通入硅源气体，先在硅单晶衬底上生长本征外延层，随后通入硅源气体和掺杂气体，生长掺杂外延层即得。本发明工艺简单，成本低，利用外延炉对硅单晶衬底片进行短时间的高温烘烤使表面COP数量减少或消除，并结合特定的外延生长工艺控制技术，制备得到了低缺陷密度的硅外延片。

主 权 项：1.一种在高COP硅单晶衬底上制备200mm-300mm低缺陷外延片的方法，包括：(1)将高COP硅单晶衬底置于外延炉的石墨基座中，在纯氢气气氛中升温至800～850℃，保温5～10s；(2)然后升温至烘烤温度，将外延炉的保护气氛切换为氢气、氩气其中的一种或几种气氛，对上述硅单晶衬底进行烘烤；其中，烘烤温度为1150～1200℃，烘烤时间为60～180s；(3)将外延炉的保护气氛切换为纯氢气气氛，降温至外延生长工艺温度并保温；通入硅源气体，先在硅单晶衬底上生长本征外延层，随后通入硅源气体和掺杂气体，生长掺杂外延层即得低缺陷外延片。

关 键 词：硅单晶衬底  外延炉 纯氢气气氛  保护气氛  硅源气体  外延生长  低缺陷  通入  一种  切换  制备  保温  升温  本征外延层  掺杂外延层  掺杂气体  高温烘烤  工艺控制  工艺温度  硅外延片 烘烤温度  数量减少  氩气  氢气  生长  衬底片  成本低  短时间  硅单晶 外延片 烘烤  降温  消除  进行  涉及  结合  

IPC专利分类号：C30B25/20(20060101);C30B29/06(20060101)