文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201410692768.X

申 请 日：20141126

发 明 人：刘健鹏 马铁中 张立芳 黄文勇 桑云刚

申 请 人：北京智朗芯光科技有限公司

申请人地址：102206 北京市昌平区昌平路97号新元科技园B座503室

公 开 日：20180731

公 开 号：CN105627951B

代 理 人：刘杰

代理机构：11302 北京华沛德权律师事务所

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种自动检测晶片基底二维形貌的装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该装置中，N束激光的多路出射光是由一个激光器经过一个包含多个分光面的分光棱镜，通过给所述多个分光面赋予差异化的反射率和透射率，使得经过该分光棱镜后射出的多路出射光光强相同，即该多路光强相同的出射光不是由多个激光器发射得到的，而是仅仅由一个激光器经过该分光棱镜的反射、折射得到的，由此，在有限的布置空间内，可以选用体积稍大的激光器，当激光器体积增大后，其内部散热性能改善，并且，由于该激光器内增设了反馈电路，可以根据需要改变激光器的内部参数，因此，能够增强激光器的输出功率和波长的稳定性。

主 权 项：1.一种自动检测晶片基底二维形貌的装置，包括第一运算模块、第二运算模块和分析模块，所述第一运算模块根据N个光斑的位置信号，计算晶片基底上任意两个入射点之间在待测基底沿X方向的曲率C_X，所述第二运算模块根据N个光斑的位置信号，计算晶片基底上任意一个入射点在待测基底移动方向即Y方向的曲率C_Y，其中，N为3以上的自然数，所述N个光斑是由N束激光沿晶片基底径向即X方向入射到晶片基底后又分别反射到与所述入射光一一对应的PSD上形成的，所述分析模块根据各所述C_X、C_Y的计算结果，得到基底的二维形貌；其特征在于，还包括N个PSD，N束激光和第一分光元件，所述N束激光沿直线排布，其中，所述N为3以上的自然数，所述N个PSD与N束激光一一对应，所述N束激光首先射向所述第一分光元件，经过所述第一分光元件后形成入射光，入射到晶片基底上，并在晶片基底上沿径向形成N个入射点，所述入射光被所述基底反射后形成N束第一种反射光束，所述各第一种反射光束经过所述第一分光元件后，入射到与所述N束激光相对应的PSD上，形成N个光斑；所述N束激光由一个多路激光发射装置发出；其中， x₁₀，激光射到平面反射面后又反射到PSD_A上形成的光斑的横坐标；x₂₀，激光射到平面反射面后又反射到PSD_B上形成的光斑的横坐标；x₁₁，第一种反射光束经过第一分光元件透射后投射到PSD_A上形成的光斑的横坐�

关 键 词：激光器 分光棱镜  多路  出射  半导体材料  无损检测技术  形貌  激光器发射  布置空间  反馈电路 内部参数  散热性能  输出功率  体积增大  自动检测  差异化  出射光  反射率  分光面  透射率 波长  二维  分光 光强  基底 晶片 射出  反射  激光 增设  折射  赋予  

IPC专利分类号：G01B11/245(20060101)