文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201610290858.5

申 请 日：20160504

发 明 人：刘亚 张亮 吴东平 曾瑞雪

申 请 人：上海小海龟科技有限公司 复旦大学

申请人地址：200439 上海市宝山区江南路180号B303

公 开 日：20160921

公 开 号：CN105957866A

代 理 人：成丽杰

代理机构：上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体生物传感器及其制备方法。半导体生物传感器包含衬底，形成在衬底之上的外延层，形成在外延层中的离子敏感场效应晶体管的源区、漏区以及双极型晶体管的基区和发射区，形成在外延层上离子敏场效应晶体管的源区、漏区之间的栅氧化层，形成在栅氧化层之上的离子敏感场效应晶体管的栅区；离子敏感场效应晶体管的衬底，作为双极型晶体管的集电区；集电区、发射区、源区和栅区均通过金属互连线引出，作为半导体生物传感器的集电极、发射极、源极和栅极。本发明半导体生物传感器结构简化，从而使其便于集成和封装。

主 权 项：1.一种半导体生物传感器，其特征在于，所述半导体生物传感器包含并列设置的离子敏感场效应晶体管和双极型晶体管；所述半导体生物传感器包含衬底，形成在所述衬底之上的外延层作为所述双极型晶体管的集电区，形成在所述外延层中的离子敏感场效应晶体管的源区、漏区以及双极型晶体管的基区和发射区，形成在所述外延层上离子敏场效应晶体管的源区、漏区之间的栅氧化层，形成在所述栅氧化层之上的离子敏感场效应晶体管的栅区；其中，所述离子敏感场效应晶体管的漏区和所述双极型晶体管的基区相邻；所述衬底以及形成在所述衬底之上的外延层，作为所述半导体生物传感器的集电极；所述源区和栅区，以及所述发射区分别引出，作为所述半导体生物传感器的源极、栅极和发射极。

关 键 词：离子敏感场效应晶体管  生物传感器 半导体 外延层  衬底  源区  双极型晶体管 栅氧化层  发射区  集电区 漏区  栅区  离子敏场效应晶体管 半导体技术领域  生物传感器结构  金属互连线 发射极  集电极  基区  源极  制备  封装  

IPC专利分类号：H01L27/10(20060101);H01L27/102(20060101);H01L27/105(20060101);H01L21/77(20060101)