文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201610705933.X

申 请 日：20160823

发 明 人：张韧剑 李志聪 冯亚萍 王辉 孙一军 王国宏

申 请 人：扬州中科半导体照明有限公司

申请人地址：225009 江苏省扬州市开发区临江路186号

公 开 日：20190122

公 开 号：CN106129209B

代 理 人：江平

代理机构：32106 扬州市锦江专利事务所

语　　种：中文

摘　　要：一种高LED发光效率的外延片及其生长方法，属于半导体技术领域，在衬底的同一侧依次外延生长缓冲层、非故意掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、AlN/GaN叠层结构MQB层、多量子阱层、电子阻挡层和P型掺杂GaN层，在温度为1100～1200℃、压力为50～400mbar的条件下，在N型掺杂GaN层上生长形成AlN/GaN叠层结构MQB层。本发明生产方法简单，在生长AlN/GaN MQB层时，稳定反应室的温度和压力，通过控制三甲基镓（TMGa）和三甲基铝（TMAl）注入反应室的时间和流量就可以实现，能明显改善电流扩展，提高LED发光二极管的亮度。

主 权 项：1.一种高LED发光效率的外延片，在衬底的同一侧依次设置缓冲层、非故意掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、N型AlN/GaN叠层结构MQB层、多量子阱层、电子阻挡层和P型掺杂GaN层；其特征在于所述N型AlN/GaN叠层结构MQB 层由2～8对AlN/GaN层组成；每对AlN/GaN层的总厚度为1～10nm，每对AlN/GaN层中AlN与GaN的厚度比为0.2～5∶1，相邻对的AlN与GaN的厚度比呈梯度变化。

关 键 词：叠层结构 生长  半导体技术领域  电子阻挡层 多量子阱层  电流扩展 三甲基铝  三甲基镓  外延生长  稳定反应  反应室  缓冲层 外延片 衬底  掺杂  生产  

IPC专利分类号：H01L33/14(20100101);H01L33/06(20100101);H01L33/00(20100101)