文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201610814590.0

申 请 日：20160909

发 明 人：路崇 谭洪舟 陈凡 李浪兴 陆许明 吴华灵

申 请 人：广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院 中山大学花都产业科技研究院

申请人地址：528300 广东省佛山市顺德区大良街道办广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院

公 开 日：20170104

公 开 号：CN106292832A

代 理 人：林丽明

代理机构：44102 广州粤高专利商标代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明提供一种改进型紧凑CMOS稳压电路，包括第一N型MOS管MN0、第二N型MOS管MN1、第三N型MOS管MN3、第四N型MOS管MN4、第五N型MOS管MN5，还包括第一P型MOS管MP0、第二P型MOS管MP1，该电路只包含MOS管，其具有功耗小、面积小的特点，与一般基于片上电容的滤波稳定电路相比，具有更优的实用性且通过提高电路的电源抑制比来达到稳定电压的作用。

主 权 项：1.一种改进型紧凑CMOS稳压电路，其特征在于，包括第一N型MOS管MN0、第二N型MOS管MN1、第三N型MOS管MN3、第四N型MOS管MN4、第五N型MOS管MN5，还包括第一P型MOS管MP0、第二P型MOS管MP1；所述第一N型MOS管MN0的栅极和漏极连接在一起并连接到电源V_dd；所述第二N型MOS管MN1的栅极和漏极连接在一起并连接到第一N型MOS管MN0源极，第二N型MOS管MN1的源极接地；第三N型MOS管MN3的栅极连接在第二N型MOS管MN1的漏极，第三N型MOS管MN3的源极与漏极接地；第四N型MOS管MN4的源极接地，第四N型MOS管MN4的栅极接到第二N型MOS管MN1的漏极，第四N型MOS管MN4的漏极接到第二P型MOS管MP1的漏极；第五N型MOS管MN5的源极与漏极接地，第五N型MOS管MN5的漏极接到第二P型MOS管MP1的源极；第二P型MOS管MP1的源极还接到第一P型MOS管MP0的漏极，第一P型MOS管MP0的源极接到电源V_dd，第一P型MOS管MP0的栅极接到第第二P型MOS管MP1的漏极。

关 键 词：电路  电源抑制 片上电容  稳定电路  稳定电压 稳压电路 改进型 功耗  滤波 紧凑  

IPC专利分类号：G05F3/26(20060101)