文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201610739860.6

申 请 日：20160829

发 明 人：李志聪 王明洋 戴俊 闫其昂 孙一军 王国宏

申 请 人：扬州中科半导体照明有限公司

申请人地址：225009 江苏省扬州市开发区临江路186号

公 开 日：20180803

公 开 号：CN106206887B

代 理 人：江平

代理机构：32106 扬州市锦江专利事务所

语　　种：中文

摘　　要：一种发光二极管外延片及其生产方法，本发明涉及半导体光电子器件制造领域，在生长多量子阱有源区时，本发明在生长多量子阱有源区时，对其中的每一组结构层的生长的生长材料进行控制，循环进行2～12组结构层的生长，在生长每一组结构层时，依次生长AlxInyGa1‑x‑yN量子垒层、AlN晶核层、网状结构SiN薄层、InxGa1‑xN量子阱层和AlxGa1‑xN薄层。本发明工艺合理，制成的产品稳定性好，正品率高，避免了多量子阱生长遇到的In组分分散不均问题及QCSE现象的发生。

主 权 项：1.一种发光二极管外延片，包括依次外延设置在衬底同一侧的AlN成核层、AlGaN非掺杂层、n型AlGaN电子注入层、多量子阱有源区、AlGaN电子阻挡层和AlGaN空穴注入层；其特征在于：所述多量子阱有源区由呈周期设置的2～12组结构层组成，每一组结构层由依次设置的AlxInyGa1-x-yN量子垒层、AlN晶核层、网状结构SiN薄层、InxGa1-xN量子阱层和AlxGa1-xN薄层组成；x为0.01～0.1，y为0.05～0.2。

关 键 词：生长  多量子阱 组结构  薄层 区时  半导体光电子器件 发光二极管外延  产品稳定性  量子垒层  量子阱层  生长材料  网状结构  晶核层  正品率 制造  生产  

IPC专利分类号：H01L33/06(20100101);H01L33/14(20100101);H01L33/00(20100101)