专利详细信息
文献类型:专利
专利类型:发明专利
是否失效:否
是否授权:否
申 请 号:CN201611140741.5
申 请 日:20161212
申 请 人:武汉颐光科技有限公司
申请人地址:430074 湖北省武汉市武汉高新大道999号未来科技城C2座2楼
公 开 日:20170426
公 开 号:CN106595521A
代 理 人:方可
代理机构:42224 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙)
语 种:中文
摘 要:本发明属于纳米尺度下几何参数测量装置领域,并公开了基于液晶调相的垂直物镜式穆勒矩阵成像椭偏仪,包括起偏光路单元和检偏光路单元,所述起偏光路单元,用于将外部光源模块出射的光束进行偏振态调制后得到偏振态的光束,再将偏振态的光束投射到待测样品表面;所述检偏光路单元,用于将待测样品表面的反射光束进行偏振态分析,从而得到待测样品的信息。本发明不仅达到了光学显微镜接近光学极限的横向分辨率,还继承了椭偏测量中<Image file="DDA0001177882940000011.GIF" he="63" imgContent="drawing" imgFormat="GIF" inline="no" orientation="portrait" wi="70"/>量级的纵向分辨率,同时基于垂直物镜成像的设计思路从根本上避免了普通倾斜镜面成像系统中焦深小、视场窄的现象,实现纳米薄膜几何参数的高分辨率宽视场测量。
主 权 项:1.基于液晶调相的垂直物镜式穆勒矩阵成像椭偏仪,其特征在于,包括起偏光路单元和检偏光路单元,其中:所述起偏光路单元,用于将外部光源模块出射的光束进行偏振态调制后得到偏振态的光束,再将偏振态的光束投射到待测样品表面;所述检偏光路单元,用于将待测样品表面的反射光束进行偏振态分析,从而得到待测样品的信息。
关 键 词:偏光 待测样品 垂直物镜 偏振态 测量 几何参数测量装置 光学显微镜 横向分辨率 偏振态调制 偏振态分析 纵向分辨率 成像系统 反射光束 高分辨率 光束投射 光学极限 几何参数 矩阵成像 纳米薄膜 纳米尺度 倾斜镜面 外部光源 宽视场 椭偏仪 中量级 出射 视场 成像 液晶 继承 偏光 待测样品 偏振态 偏振态调制 偏振态分析 垂直物镜 反射光束 光束投射 矩阵成像 外部光源 椭偏仪 出射 液晶
IPC专利分类号:G01B11/24(20060101);G01N21/21(20060101)
参考文献:
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二级参考文献:
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耦合文献:
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引证文献:
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二级引证文献:
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同被引文献:
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