文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201610843153.1

申 请 日：20160923

发 明 人：许鹏 张世理 赵丹

申 请 人：上海小海龟科技有限公司

申请人地址：200439 上海市宝山区江南路180号B303

公 开 日：20170315

公 开 号：CN106501340A

代 理 人：成丽杰

代理机构：上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种电极、离子敏感传感器、电容和离子活度的检测方法。本发明中，一种用于与金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管MOSFET配合对待测物的电容或离子活度进行检测的电极包括：绝缘基底以及形成在所述绝缘基底上的叉指电极；所述叉指电极包括第一电极和第二电极；至少在所述第一电极的表面覆盖有第一离子敏感膜；至少在所述第二电极的表面上覆盖有第二离子敏感膜。通过本发明提供的电极、离子敏感传感器、电容和离子活度的检测方法，实现了将电极和金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管MOSFET分开制作，有效减小了电极与硅片之间的寄生电容，从而提高了对待测物离子活度或电容检测结果的准确性。

主 权 项：1.一种电极，其特征在于，所述电极用于与金属-氧化物-半导体场效应晶体管MOSFET配合对待测物的电容或离子活度进行检测；所述电极包括：绝缘基底以及形成在所述绝缘基底上的叉指电极；所述叉指电极包括第一电极和第二电极；至少在所述第一电极的表面覆盖有第一离子敏感膜；至少在所述第二电极的表面上覆盖有第二离子敏感膜。

关 键 词：电极 离子活度  半导体场效应晶体管 离子敏感膜  敏感传感器  叉指电极 第二电极  第一电极  电容 氧化物  基底  绝缘  检测  离子  半导体技术领域  金属  表面覆盖  电容检测 分开制作  寄生电容 硅片  减小  覆盖  配合  

IPC专利分类号：G01N27/414(20060101)