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专利详细信息

一种串联IGBT驱动电路       

文献类型:专利

专利类型:发明专利

是否失效:

是否授权:

申 请 号:CN201610983995.7

申 请 日:20161109

发 明 人:李修亮 洪峰

申 请 人:苏州弘鹏新能源有限公司

申请人地址:215000 江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园1-A1F

公 开 日:20170510

公 开 号:CN106655730A

语  种:中文

摘  要:本发明提供一种串联IGBT驱动电路,包括驱动电源、负载电阻、IGBT网络电路,驱动电路还包括一DSP信号发生器,DSP信号发生器包括导通信号输出端和关断信号输出端,MOS管的漏极通过第一驱动电阻与IGBT开关管的基极连接,第一级IGBT开关管的基极通过第一驱动电阻与导通信号输出端连接,第一电阻的另一端通过第一驱动电阻与下一级MOS管的源极连接。该串联IGBT驱动电路结构简单,性能可靠;通过DSP产生一个导通信号和一个关断信号,实现驱动同步,克服了IGBT驱动信号形成过程中因为驱动信号时差而导致系统中的IGBT不能同时导通造成系统设备的损坏。

主 权 项:1.一种串联IGBT驱动电路,包括驱动电源(V)、负载电阻(R5)、IGBT网络电路,所述IGBT网络电路由数个IGBT开关管(S)串联而成,其特征在于:该驱动电路还包括一DSP信号发生器,所述DSP信号发生器包括导通信号输出端(Drive1)和关断信号输出端(Drive2),每一级IGBT开关管(S)均与一RCD电路及一MOS管(M)连接,所述RCD电路包括第一电阻(R1)、电容(C)及第一二极管(D),第一二极管(D)的阳极与IGBT开关管(S)的集电极连接,第一二极管(D)的阳极与第一电阻(R1)、MOS管(M)的源极连接, MOS管(M)的栅极通过第二驱动电阻(R4)与关断信号输出端(Drive2)连接,MOS管(M)的漏极通过第一驱动电阻(R3)与IGBT开关管(S)的基极连接,第一级IGBT开关管(S)的基极通过第一驱动电阻(R3)与导通信号输出端(Drive1)连接,第一电阻(R1)的另一端通过第一驱动电阻(R3)与下一级MOS管(M)的源极连接。

关 键 词:导通信号  驱动电阻 关断信号  发生器  输出端  串联  输出端连接  负载电阻 基极连接  驱动电路 驱动电源  驱动信号  网络电路 系统设备  源极连接  第一级  导通 电阻 漏极  时差  驱动  

IPC专利分类号:H02M1/088(20060101)

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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二级引证文献:

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同被引文献:

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