文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201811028317.0

申 请 日：20180904

发 明 人：廖晓玲 徐文峰 张园园 杨梅

申 请 人：重庆科技学院

申请人地址：401331 重庆市沙坪坝区大学城东路20号

公 开 日：20181026

公 开 号：CN108704684A

语　　种：中文

摘　　要：本发明提供了一种检测用多层微流控芯片的使用方法，其特征在于，使用方法包含如下步骤：第一步选择芯片规格；第二步芯片准备；第三步组装密闭；第四步加样检测；第五步拆卸清洗。本发明的有益效果是，芯片规格多，能够满足多种重金属同时检测的需要，芯片组装方便，实验方法简单；芯片拆卸操作容易，方便清洗和更换过滤装置等，有利于现场检测。

主 权 项：1.一种检测用多层微流控芯片的使用方法，使用的芯片主要由第一层基片、第二层基片、第三层基片三部分组成；所述芯片呈圆形或矩形，由三层形状和尺寸大小一致的、透明材质的基片贴合在一起，用固定针通过固定孔固定，并能够拆卸；所述第一层基片，在圆形或矩形的基片一侧上面加工有进样口，进样通道的一端连接进样口；进样通道依次穿过、围绕芯片边缘加工的波浪沉淀池、网格沉淀池、和凹坑沉淀池后，其另一端与漫流池连通；漫流池的底部水平面低于进样通道的底部水平面；在圆形或矩形第一层基片的中间部位加工有贯通第一层基片底部的出样口，出样口内加工有滤网卡槽，滤网卡槽安装有凹面型的过滤网；所述进样口的直径尺寸大于进样通道的宽度尺寸，进样口的底面水平面低于进样通道的底面水平面；出样口通过漫流通道与漫流池相连通；漫流通道的底部水平面高于漫流池的底部水平面，低于进样通道的底部水平面；漫流通道的端头伸入在漫流池的中间部位，其端头加工成一个直径尺寸大于漫流通道宽度尺寸近似圆柱形的漫流柱；漫流柱顶部上加工有一个高于漫流通道底部水平面的环形壁，即为漫流通道的漫流入口；漫流入口的环形壁漫流结构的顶部水平面高度接近进样通道底部水平面高度；第一层基片的上表面的加工开口均密闭，在漫流入口和漫流通道的密闭层下，都安装有一层吸油材料；所述第一层基片上加工的所有功能区构件，均在圆形或矩形的基片一侧，不超过第一层基片总上表面积的2/3；所述第一层基片的另外一种规格，在基片上表面的一侧没有加工进样通道、和围绕芯片边缘加工的波浪沉淀池、网格沉淀池、以及凹坑沉淀池，样品直接在漫流池进样；所述第二层基片在对应第一层基片的出样

关 键 词：芯片 微流控芯片 拆卸清洗  方便清洗  过滤装置 现场检测  芯片组装 种检测  重金属 检测  密闭  多层  加样 拆卸  组装  

IPC专利分类号：B01L3/00(20060101); G01N21/78(20060101)