文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201810069788.X

申 请 日：20180124

发 明 人：胡小刚 董闯 吴爱民 李冬梅 陈大民 谷伟

申 请 人：大连理工大学 大连纳晶科技有限公司

申请人地址：116000 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

公 开 日：20190419

公 开 号：CN108165944B

代 理 人：刘奇

代理机构：11569 北京高沃律师事务所

语　　种：中文

摘　　要：本发明提供了一种超厚Ti<Sub>2</Sub>AlC涂层的制备方法。本发明采用多弧离子镀技术(AIP)和磁控溅射技术复合，利用高速Φ155大弧源沉积技术，可以短时间内获得大厚度的致密涂层，并且先制备过渡层，使涂层与基体结合力优异；本发明采用TiAl靶作为阴极弧源，石墨C作为磁控靶材，避免气态碳源产生的非晶相和引入氢离子，并且避免了Ti<Sub>2</Sub>AlC复合靶造价高昂的短板，采用分靶复合沉积，一步获得大厚度Ti<Sub>2</Sub>AlC涂层，也减少了两步法对工件二次处理的繁琐步骤。实验结果表明，本发明提供的制备方法可以一步获得厚度在10μm以上超厚Ti<Sub>2</Sub>AlC均匀层状相结构涂层，涂层致密平整，结合力&gt;60N。

主 权 项：1.一种超厚Ti₂AlC涂层的制备方法，包括以下步骤：(1)开启TiAl靶，在待沉积的工件表面中高偏压沉积Ti-Al过渡层；所述中高偏压沉积的偏压为-250～-300V，占空比为50～70％，弧电流为130～140A，时间为120～180s；(2)对所述步骤(1)得到的Ti-Al过渡层进行高偏压夯实，得到夯实涂层；所述高偏压夯实的偏压为-700～-800V，占空比为20～30％，弧电流为140～170A，时间为120～180s；(3)同时开启TiAl靶和石墨靶，在所述步骤(2)得到的夯实涂层表面中高偏压沉积Ti-Al-C涂层；所述中高偏压沉积的偏压为-100～-140V，占空比为40～50％，弧电流为160～200A，时间为4～10h；(4)对所述步骤(3)得到的Ti-Al-C涂层进行高偏压轰击加热，得到超厚Ti₂AlC涂层；所述高偏压轰击加热的偏压为-800～-1000V，占空比为60～80％，弧电流为80～120A，时间为1～3h；所述超厚Ti₂AlC涂层的制备在Ar气氛中进行，采用高速Φ155大弧源；所述超厚Ti₂AlC涂层的制备过程中，待沉积的工件的温度为250～400℃；所述超厚Ti₂AlC涂层的制备过程中，中频磁控的功率为20～35kW。

关 键 词：制备  超厚 氢离子  磁控溅射技术 致密 多弧离子镀 基体结合力  二次处理  繁琐步骤  复合沉积  结构涂层  均匀层状  气态碳源  阴极弧源  致密涂层  磁控靶  复合靶  过渡层  结合力  两步法  石墨  大弧  短板  非晶  沉积  平整  复合  引入  

IPC专利分类号：C23C14/35(20060101);C23C14/32(20060101);C23C14/06(20060101);C23C14/02(20060101)