文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201810350423.4

申 请 日：20180418

发 明 人：刘晓燕 吕思宜 贾碧

申 请 人：重庆科技学院 深圳先进技术研究院

申请人地址：401331 重庆市沙坪坝区大学城东路20号

公 开 日：20180921

公 开 号：CN108560060A

代 理 人：龙玉洪

代理机构：50216 重庆为信知识产权代理事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种基于PFM的铌酸锂纳米畴加工及成像方法，首先利用施加第一交流电压的导电探针扫描铌酸锂薄膜表面；其次利用施加第一直流电压的导电探针对扫描后的所述铌酸锂薄膜进行纳米畴加工；最后在施加第二交流电压的导电探针对畴加工后的铌酸锂薄膜进行纳米畴结构成像的同时，向所述铌酸锂薄膜表面施加第二直流电压。本发明的效果是，在铌酸锂纳米畴加工前对其施以交流电，能提高铌酸锂纳米畴的形成概率，从而提高铌酸锂纳米铁电存储器的容量；在铌酸锂纳米畴成像的同时施以直流电，能显著提升铌酸锂纳米畴结构成像分辨率，以验证是否反转形成了铌酸锂纳米畴，以及确定纳米畴的大小。

主 权 项：1.一种基于PFM的铌酸锂纳米畴加工及成像方法，其特征在于按以下步骤进行：步骤一、利用施加第一交流电压的导电探针扫描铌酸锂薄膜表面，第一交流电压的电压值小于铌酸锂铁电畴的反转电压值；所述铌酸锂薄膜为沿c轴晶轴单向极化的铌酸锂单晶薄膜；步骤二、利用施加第一直流电压的导电探针对扫描后的所述铌酸锂薄膜进行纳米畴加工，第一直流电压的电压值大于等于铌酸锂铁电畴的反转电压值；步骤三、利用施加第二交流电压的导电探针对畴加工后的铌酸锂薄膜进行纳米畴结构成像，施加第二交流电压的同时向所述铌酸锂薄膜表面施加第二直流电压；第二直流电压的电压值小于铌酸锂铁电畴的反转电压值。

关 键 词：铌酸锂 铌酸锂薄膜  成像  交流电压  直流电压  畴结构 施加  加工  导电  交流电  扫描  直流电  成像分辨率 表面施加  导电探针  纳米铁电  存储器  反转  验证  概率  

IPC专利分类号：C30B33/04(20060101);C30B29/30(20060101);B82Y40/00(20110101);G01Q60/00(20100101)