文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201810809941.8

申 请 日：20180723

发 明 人：刘丰奎 谭仁兵 陈恒杰 阳廷义 樊玉勤 方旺

申 请 人：重庆科技学院

申请人地址：401331 重庆市沙坪坝区大学城东路20号

公 开 日：20181130

公 开 号：CN108914062A

代 理 人：郑勇

代理机构：50223 重庆蕴博君晟知识产权代理事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种大面积过渡金属硫化物薄膜的制备方法，大面积制备方法包括如下步骤：1)将过渡金属通过镀膜工艺沉积到衬底上形成过渡族金属薄膜；2)对过渡族金属薄膜进行硫化反应；所述过渡金属硫化物化学式为AB<Sub>2</Sub>，其中A为过渡族金属元素，B为硫族元素。本发明还公开了一种图形化过渡金属硫化物薄膜的制备方法。发明利用镀膜技术，通过沉积一定厚度的过渡金属薄膜到衬底上，然后利用熔融状态蒸发的硒原子在一定的温度和压强下与沉积的铂金属反应，最终得到厚度可调的大面积、图形化的二硒化铂薄膜。这种方法简单易行，制备出的二硒化铂具有较高的电导率。工艺与现代半导体加工工艺兼容，在光电器件、传感器件以及光催化方面具有广泛的应用前景。

主 权 项：1.一种大面积过渡金属硫化物薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)将过渡金属通过镀膜工艺沉积到衬底上形成过渡族金属薄膜；2)对过渡族金属薄膜进行硫化反应；所述过渡金属硫化物化学式为AB₂，其中A为过渡族金属元素，B为硫族元素。

关 键 词：制备  过渡金属硫化物  薄膜  沉积  过渡族金属  图形化 衬底  硒化  半导体加工工艺  过渡族金属元素  压强  过渡金属薄膜  电导率  传感器件 镀膜工艺 镀膜技术 光电器件 过渡金属  厚度可调  硫化反应 硫族元素  熔融状态  铂薄膜  铂金属  光催化  硒原子  蒸发  兼容  应用  

IPC专利分类号：C23C14/14(20060101);C23C14/58(20060101);C23C14/04(20060101);C23C16/06(20060101);C23C16/56(20060101);C23C16/04(20060101)