文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201810954980.7

申 请 日：20180821

发 明 人：大岛佑一 藤田静雄 金子健太郎 嘉数诚 河原克明 四户孝 松田时宜 人罗俊实

申 请 人：株式会社FLOSFIA 国立研究开发法人物质·材料研究机构 国立大学法人京都大学 国立大学法人佐贺大学

申请人地址：日本京都

公 开 日：20220923

公 开 号：CN109423691B

代 理 人：王东贤;王珍仙

代理机构：北京德琦知识产权代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：根据本发明主题的方面，晶体包括：刚玉结构的氧化物半导体作为主要组分，该刚玉结构的氧化物半导体包括镓和/或铟并掺杂有含锗的掺杂剂；主平面；1×10<Sup>18</Sup>/cm<Sup>3</Sup>或更高的载流子浓度；以及20cm<Sup>2</Sup>/Vs或更高的电子迁移率。

主 权 项：1.一种用于制造结晶膜的方法，包括：在含金属的原料气体的供应管中气化金属源以将所述金属源转化为含金属的原料气体，经由所述含金属的原料气体的供应管将所述含金属的原料气体供应到反应室中到基板上；将含氧的原料气体供应到反应室中到基板上；将含掺杂剂的原料气体供应到所述反应室中到所述基板上；经由反应气体的供应气体管将反应气体供应到所述反应室中到所述基板上；以及在所述含掺杂剂的原料气体和所述反应气体的气流下形成结晶膜，其中所述反应气体包括选自卤化氢以及含卤素和氢的组中的至少一种。

关 键 词：氧化物半导体 刚玉 载流子 电子迁移率 掺杂剂 主平面 掺杂

IPC专利分类号：C30B25/10;C30B25/14;C30B25/16;C30B29/16