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专利详细信息

结晶膜、包括结晶膜的半导体装置以及制造结晶膜的方法       

文献类型:专利

专利类型:发明专利

是否失效:

是否授权:

申 请 号:CN201810948461.X

申 请 日:20180820

发 明 人:大岛佑一 藤田静雄 金子健太郎 嘉数诚 河原克明 四户孝 松田时宜 人罗俊实

申 请 人:流慧株式会社 国立研究开发法人物质·材料研究机构 国立大学法人京都大学 国立大学法人佐贺大学

申请人地址:日本京都

公 开 日:20190305

公 开 号:CN109423694A

代 理 人:王东贤;王珍仙

代理机构:11018 北京德琦知识产权代理有限公司

语  种:中文

摘  要:根据本发明主题的方面,结晶膜包括结晶金属氧化物作为主要组分,结晶膜包括刚玉结构、9μm<Sup>2</Sup>或更大的表面积和小于5×10<Sup>6</Sup>cm<Sup>‑2</Sup>的位错密度。

主 权 项:1.一种结晶膜,包括:作为主要组分的结晶金属氧化物;所述结晶膜包括刚玉结构、9μm2或更大的表面积和小于5×106cm-2的位错密度。

关 键 词:结晶膜  结晶金属氧化物  刚玉 位错

IPC专利分类号:C30B29/16(20060101);C30B25/16(20060101);C30B25/18(20060101);C30B25/04(20060101)

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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二级引证文献:

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同被引文献:

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