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专利详细信息

一种基于IGBT管的变频器主电路及变频器       

文献类型:专利

专利类型:发明专利

是否失效:

是否授权:

申 请 号:CN201910339639.5

申 请 日:20190425

发 明 人:申思磊 王晓俊 高强 王志宏 王硕

申 请 人:北京大学邯郸创新研究院

申请人地址:056000 河北省邯郸市邯郸县邯郸经济技术开发区美的路与东兴大街交叉口东北角

公 开 日:20190611

公 开 号:CN109873552A

代 理 人:贺亚明;赵白

代理机构:11577 北京知呱呱知识产权代理有限公司

语  种:中文

摘  要:本发明实施例公开了一种基于IGBT管的变频器主电路及变频器,包括IGBT驱动电路(1)、短路保护电路(2)、缓冲电路(3)和IGBT管并联电路(4);其中,所述IGBT管并联电路由一个IGBT管组成;所述IGBT驱动电路通过控制信号的6号引脚连接所述短路保护电路(2),所述IGBT并联电路(4)通过所述IGBT管的C极、E极与所述IGBT驱动电路的C极、E极并联相连,缓冲电路与所述IGBT驱动电路(1)相连。本发明一种基于IGBT管的变频器主电路,依据IGBT管V1、V2饱和压降的大小以及吸收IGBT管从饱和导通到截止过程中,过大的电压变化率实现保护电路的目的。

主 权 项:1.一种基于IGBT管的变频器主电路,其特征在于,包括IGBT驱动电路(1)、短路保护电路(2)、缓冲电路(3)和IGBT管并联电路(4);其中,所述IGBT管并联电路由一个IGBT管组成;所述IGBT驱动电路通过控制信号的6号引脚连接所述短路保护电路(2),所述IGBT并联电路(4)通过所述IGBT管的C极、E极与所述IGBT驱动电路的C极、E极并联相连,缓冲电路与所述IGBT驱动电路(1)相连。

关 键 词:变频器主电路  短路保护电路 并联电路  缓冲电路  电路  电压变化率 饱和导通  饱和压降 控制信号  变频器 并联  引脚  截止  吸收  

IPC专利分类号:H02M1/088(20060101);H02H7/12(20060101);H02M1/34(20070101)

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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二级引证文献:

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同被引文献:

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