文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201711454894.1

申 请 日：20171228

发 明 人：陆宇 沈立 周润宝 沈金龙 程玉华

申 请 人：上海卓弘微系统科技有限公司 上海北京大学微电子研究院 上海芯哲微电子科技股份有限公司

申请人地址：201399 上海市浦东新区惠南镇沪南公路9356弄1-36号407室

公 开 日：20190705

公 开 号：CN109980007A

语　　种：中文

摘　　要：本文公开了一种提高SOI器件击穿电压的器件新结构，其中主要包括埋层结构，埋氧层在源端和漏端成U型。利用U型埋氧层在大的漏端电压时正电荷不易被抽走提高击穿电压；源端U型介质埋氧层在漏端电压较大时保证击穿不会发生在p阱和漂移区形成的耗尽区，漏端U型介质埋层通过积累大量正电荷来提高击穿电压。

主 权 项：1.一种SOI高压器件新结构，包括漂移区，埋氧层，衬底，其特征是影响击穿电压主要因素是漏端纵向击穿电压，并且埋氧层结构可以提SOI器件的击穿电压。

关 键 词：击穿电压  埋氧层 端电压 正电荷 漏端  源端  介质埋层  耗尽区  漂移区 新结构 击穿  埋层 积累  保证  

IPC专利分类号：H01L29/78(20060101);H01L29/06(20060101)