文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201810566023.7

申 请 日：20180605

发 明 人：刘胜 沈桥 甘志银

申 请 人：广东昭信半导体装备制造有限公司

申请人地址：528251 广东省佛州市南海区平洲南港大街5号1楼

公 开 日：20191213

公 开 号：CN110565160A

代 理 人：田磊

代理机构：11210 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：本发明公布了一种微波等离子体化学气相沉积装置，包括上部腔体、下部腔体、中心轴、样品台、密封绝缘件、绝缘支撑件、进气口和出气口。中心轴设置在反应腔上方，并和反应腔形成微波馈入的同轴波导。设置在反应腔下方的样品台用于放置衬底，面对样品台一侧的中心轴设置有凹陷结构表面。密封绝缘件和绝缘支撑件设置在同轴波导内，同时中心轴的下端面低于密封绝缘件的下端面和绝缘支撑件的下端面，密封绝缘件和绝缘支撑件远离等离子体从而避免被等离子体刻蚀。进气口和出气口采用水平进气和出气方式，有利于在衬底上形成高质量、高均匀性的外延生长。本发明解决了反应腔中大功率微波馈入问题，并实现稳定可靠的真空密封，同时保证反应气体的均匀性。

主 权 项：1.一种微波等离子体化学气相沉积装置，其特征是：反应腔（1）包括上部腔体（21）和下部腔体（22），反应腔（1）底部设置有放置衬底（8）的样品台（4），反应腔（1）顶部设置有中心轴（3），反应腔（1）和中心轴（3）形成类同轴波导（2），中心轴（3）伸入到反应腔中，面对样品台（4）的中心轴一侧设置有凹陷结构表面（7）；反应腔（1）设置有水平的进气口（11）和水平的出气口（12）；在所述的同轴波导（2）中，设置有密封绝缘件（9）和绝缘支撑件（33）；所述的中心轴（2）的下端面低于密封绝缘件（9）的下端面和绝缘支撑件（33）的下端面；所述的中心轴的最大外表面（37）的横向尺寸大于下部腔体的主体内表面（35）的横向尺寸。

关 键 词：绝缘支撑件  密封绝缘件  反应腔  中心轴  下端面  样品台  进气口  同轴波导 出气口  衬底  馈入  微波等离子体化学气相沉积 等离子体  等离子体刻蚀 大功率微波  凹陷结构  出气方式  反应气体 高均匀性  上部腔体  外延生长  下部腔体  真空密封 均匀性  进气  微波  保证  

IPC专利分类号：C30B25/08(20060101);C30B25/14(20060101);C30B29/04(20060101);C23C16/27(20060101);C23C16/44(20060101);C23C16/517(20060101);C23C16/511(20060101);C23C16/513(20060101);C23C16/455(20060101)