文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201880025393.8

申 请 日：20180920

发 明 人：鹈殿治彦 朝日聪明

申 请 人：国立大学法人茨城大学 JX金属株式会社

申请人地址：日本茨城县水户市

公 开 日：20191213

公 开 号：CN110574172A

代 理 人：吕琳;朴秀玉

代理机构：11332 北京品源专利代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：一种光电二极管，包括：硅化镁晶体的pn结、包含与p型硅化镁接触的材料的电极以及包含与n型硅化镁接触的材料的电极，将所述与p型硅化镁接触的材料设为功函数为4.81eV以上、且与硅反应形成硅化物或与镁形成合金的材料，由此，提供具有不仅与Mg<Sub>2</Sub>Si材料的附着力高而且还使包括光灵敏度在内的综合性能提高的电极构成的半导体光电二极管。

主 权 项：1.一种光电二极管，包括：硅化镁晶体的pn结、包含与p型硅化镁接触的材料的电极以及包含与n型硅化镁接触的材料的电极，所述光电二级管的特征在于，所述与p型硅化镁接触的材料是功函数为4.81eV以上、且与硅反应形成硅化物或与镁形成合金的材料。

关 键 词：电极  硅化镁  附着力 半导体光电二极管  反应形成硅化物  光电二极管 硅化镁晶体  光灵敏度  综合性能 功函数 合金  

IPC专利分类号：H01L31/103(20060101)