文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201910824277.9

申 请 日：20190902

发 明 人：徐开凯 冯新 李建全 赵建明 张宁 冯志成 黄兴发 李健儿 廖楠 徐银森 洪继霖 陈勇 施宝球 曾尚文 李洪贞 刘继芝

申 请 人：电子科技大学 重庆中科渝芯电子有限公司 四川芯合利诚科技有限公司 四川晶辉半导体有限公司 四川蓝彩电子科技有限公司 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 气派科技股份有限公司 广东成利泰科技有限公司 四川上特科技有限公司

申请人地址：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

公 开 日：20191129

公 开 号：CN110518032A

代 理 人：张红卫;张帆

代理机构：13113 石家庄科诚专利事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种多晶硅SOI基板型光电耦合器，包括作为衬底硅的第一衬底、作为SiO<Sub>2</Sub>中间层的第一介质层和顶层多晶硅，顶层多晶硅通过低压力化学气相沉积法淀积在第一衬底上；光电耦合器包括制作在第一衬底中的硅光探测器、第一介质层以及制作在顶层多晶硅中的多晶硅光源。本发明还公开了上述光电耦合器的制作方法，并进一步公开了上述光电耦合器的集成电路及其制作方法。本发明的多晶硅光源与硅光探测器轴向排布，面积小、制造成本低，具有较高的光传输效率和集成度；本发明的光电耦合器可以与电路集成在同一个衬底上，多晶硅光源与硅光探测器轴向堆叠，进一步降低了制造成本，具有较高的集成度。本发明适用于光电耦合器的集成技术领域。

主 权 项：1.一种多晶硅SOI基板型光电耦合器，其特征在于：包括作为衬底硅的第一衬底、作为SiO₂中间层的第一介质层和顶层多晶硅，所述顶层多晶硅通过低压化学气相沉积法淀积在第一衬底上；所述多晶硅SOI基板型光电耦合器包括制作在第一衬底中的硅光探测器、第一介质层以及制作在顶层多晶硅中的多晶硅光源；所述第一衬底是n^-掺杂/p^-掺杂的硅衬底，第一衬底中注入有第一深p阱以及与第一深p阱相连形成第一岛的第一高深宽比p⁺阱和第二高深宽比p⁺阱，第一岛的上部嵌有第一薄n⁺阱；硅光探测器阴极从第一高深宽比p⁺阱引出、硅光探测器阳极从第一薄n⁺阱引出。

关 键 词：多晶硅 光电耦合器 衬底 硅光探测器 顶层  光源  制造成本  集成度  介质层  制作  化学气相沉积  光传输效率  电路集成  集成技术  轴向排布  衬底硅  低压力  法淀积  基板型  中间层  堆叠  轴向 集成电路

IPC专利分类号：H01L27/15(20060101);H01L21/84(20060101)