文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201810919495.6

申 请 日：20180814

发 明 人：任达明 刘览琦 逯召静 石琴琴 胡昂 杨阳 谭珍 张科峰

申 请 人：武汉芯泰科技有限公司

申请人地址：430074 湖北省武汉市东湖开发区东信路数码港(留学生创业园)C栋2116

公 开 日：20200221

公 开 号：CN110829984A

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种高线性度的功率放大器，所述高线性度的功率放大器包括主体放大电路(100)和偏置电压产生电路(200)；所述主体放大电路(100)包括第一推挽功率放大电路(101)和第二推挽功率放大电路(102)，所述第一推挽功率放大电路(101)和所述第二推挽功率放大电路(102)构成互补对称电路；所述偏置电压产生电路(200)包括第一偏置电压产生电路(201)和第二偏置电压产生电路(202)；所述主体放大电路(100)用于对所述高线性度的功率放大器的输入信号进行放大；所述偏置电压产生电路(200)用于为所述主体放大电路(100)提供偏置电压。本发明可以降低大信号时所述高线性度的功率放大器的三阶互调点，提升所述高线性度的功率放大器的线性度。

主 权 项：1.一种高线性度的功率放大器，其特征在于，所述高线性度的功率放大器包括主体放大电路(100)和偏置电压产生电路(200)；所述主体放大电路(100)包括第一推挽功率放大电路(101)和第二推挽功率放大电路(102),所述第一推挽功率放大电路(101)和所述第二推挽功率放大电路(102)构成互补对称电路；所述第一推挽功率放大电路(101)包括两个管型互补的MOS管：第一PMOS管(PM1)和第一NMOS管(NM1)；所述第二推挽功率放大电路(102)包括两个管型互补的MOS管：第二PMOS管(PM2)和第二NMOS管(NM2)；所述偏置电压产生电路(200)包括第一偏置电压产生电路(201)和第二偏置电压产生电路(202)；所述第一偏置电压产生电路(201)为所述第一PMOS管(PM1)提供栅极电压，通过调整所述第一偏置电压产生电路(201)中元器件阻抗值的大小，以使所述第一PMOS管(PM1)偏置在线性区；所述第二偏置电压产生电路(202)为所述第二PMOS管(PM2)提供栅极电压，通过调整所述第二偏置电压产生电路(202)中元器件阻抗值的大小，以使所述第二PMOS管(PM2)偏置在线性区；所述主体放大电路(100)用于对所述高线性度的功率放大器的输入信号进行放大。

关 键 词：偏置电压产生电路  功率放大器 高线性度 推挽功率放大电路  放大电路 对称电路  偏置电压 三阶互调 线性度 放大  

IPC专利分类号：H03F1/32(20060101);H03F3/26(20060101);H03F3/213(20060101)