文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201811640961.3

申 请 日：20181229

发 明 人：朱辉 肖秀光

申 请 人：深圳比亚迪微电子有限公司

申请人地址：518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号

公 开 日：20200707

公 开 号：CN111384174A

代 理 人：张润

代理机构：11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了沟槽型MOS场效应晶体管及方法、电子设备。该场效应晶体管包括：第一电极金属层、半导体衬底层以及外延层，多个沟槽位于所述外延层远离所述半导体衬底层一侧的表面上，沟槽中设置有栅绝缘层以及栅极；阱区，所述阱区位于相邻的两个所述沟槽之间，所述阱区中具有源/漏极区；绝缘介质层；势垒金属层，所述势垒金属层设置在所述绝缘介质层远离所述半导体衬底的一侧，并在所述沟槽的两侧分别形成欧姆接触和肖特基接触；和第二电极金属层。由此该沟槽型MOSFET在反向承受偏压时，也可具有较好的耐压能力，器件具有较小的反向漏电流。

主 权 项：1.一种沟槽型MOS场效应晶体管，其特征在于，包括：依次层叠设置的第一电极金属层、半导体衬底层以及外延层；多个沟槽，多个所述沟槽位于所述外延层远离所述半导体衬底层一侧的表面上，所述沟槽中设置有栅绝缘层以及栅极；阱区，所述阱区位于相邻的两个所述沟槽之间，所述阱区中具有靠近所述沟槽的侧壁设置的源/漏极区；绝缘介质层，所述绝缘介质层位于所述沟槽远离所述外延层的一侧，并覆盖所述栅极以及所述源/漏极区的一部分；势垒金属层，所述势垒金属层设置在所述绝缘介质层远离所述半导体衬底的一侧，并在所述沟槽的两侧分别形成欧姆接触和肖特基接触；第二电极金属层，所述第二电极金属层位于所述势垒金属层远离所述外延层的一侧。

关 键 词：阱区  半导体衬底层  绝缘介质层  势垒金属层  金属层  外延层  沟槽型MOS场效应晶体管  场效应晶体管 沟槽型MOSFET  反向漏电流 肖特基接触 第二电极  第一电极  电子设备 耐压能力  欧姆接触  栅绝缘层 源/漏极  衬底  半导体  

IPC专利分类号：H01L29/78(20060101);H01L21/04(20060101)