文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201880078824.7

申 请 日：20181211

发 明 人：八田浩一 前川薫 佐藤渚 大野久美子 田原慈 雅各·法盖 雷米·杜萨特 托马斯·蒂洛彻 菲利普·勒福舍 盖尔·安托万

申 请 人：东京毅力科创株式会社 法国国立奥尔良大学

申请人地址：日本东京都

公 开 日：20240813

公 开 号：CN111527591B

代 理 人：刘新宇;李茂家

代理机构：北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：等离子体蚀刻方法包括如下工序：物理吸附工序，其边将形成有蚀刻对象膜的被处理体进行冷却，边使基于第1处理气体的吸附物物理吸附于蚀刻对象膜；和，蚀刻工序，其使吸附物与蚀刻对象膜通过第2处理气体的等离子体进行反应，从而对蚀刻对象膜进行蚀刻。

主 权 项：1.一种等离子体蚀刻方法，其特征在于，包括如下工序：物理吸附工序，其边将彼此相邻地形成有蚀刻对象膜及其他膜的被处理体进行冷却，边以所述蚀刻对象膜对第1处理气体不具有化学反应性的方式使基于所述第1处理气体的吸附物物理吸附于所述蚀刻对象膜及其他膜；调整工序，使物理吸附于所述蚀刻对象膜的吸附物的一部分进行蒸发或升华，从而调整所述吸附物的厚度；和，蚀刻工序，其在所述其他膜被源自所述吸附物的含碳物或源自所述吸附物的氧化覆膜覆盖的状态下，使所述吸附物与所述蚀刻对象膜通过第2处理气体的等离子体进行反应，从而对所述蚀刻对象膜进行蚀刻。

关 键 词：蚀刻对象膜  蚀刻 处理气体  物理吸附 吸附物  等离子体 等离子体蚀刻 被处理体  冷却  

IPC专利分类号：H01L21/3065