登录    注册    忘记密码

专利详细信息

纳米金-铌酸锂复合材料光诱导降解阴离子型染料的方法       

文献类型:专利

专利类型:发明专利

是否失效:

是否授权:

申 请 号:CN202010675527.X

申 请 日:20200714

发 明 人:刘晓燕 司东辉 贾碧 张均 范保艳 邢安

申 请 人:重庆科技学院

申请人地址:401331 重庆市沙坪坝区大学城东路20号

公 开 日:20201030

公 开 号:CN111847571A

代 理 人:姚坤

代理机构:50216 重庆为信知识产权代理事务所(普通合伙)

语  种:中文

摘  要:本发明公开了一种纳米金‑铌酸锂复合材料光诱导降解阴离子型染料的方法,首先制备纳米金‑铌酸锂复合材料;所述复合材料包括铌酸锂基底,该铌酸锂基底为平行于c轴晶轴的单畴结构,在该铌酸锂基底的+Z面上附着有纳米金;然后将纳米金‑铌酸锂复合材料附着有纳米金的面朝上置于阴离子型染料溶液中,并对纳米金‑铌酸锂复合材料施以近红外光照射,吸附在纳米金表面的阴离子型染料被氧化降解。采用本发明的显著效果是,通过对纳米金‑铌酸锂复合材料进行近红外光照射,使纳米金产生表面等离子体共振效应,电子从纳米金迁移至铌酸锂基底使纳米金表面聚集正电荷,能够充分吸附甲基橙等阴离子型染料并实现直接氧化降解,提供了降解有机物染料的新方法。

主 权 项:1.一种纳米金-铌酸锂复合材料光诱导降解阴离子型染料的方法,其特征在于按以下步骤进行:步骤一、制备纳米金-铌酸锂复合材料;所述复合材料包括铌酸锂基底,该铌酸锂基底为平行于c轴晶轴的单畴结构,在该铌酸锂基底的+Z面上附着有纳米金;步骤二、将纳米金-铌酸锂复合材料置于阴离子型染料溶液中,其附着有纳米金的面朝上,并对纳米金-铌酸锂复合材料施以近红外光照射,吸附在纳米金表面的阴离子型染料被氧化降解。

关 键 词:纳米金 复合材料 铌酸锂 阴离子型染料  铌酸锂基  近红外光  吸附  附着  照射  表面等离子体共振  光诱导降解  降解有机物  表面聚集  单畴结构  氧化降解  直接氧化  甲基橙  正电荷  染料  朝上  降解 晶轴  制备  平行  迁移  

IPC专利分类号:C02F1/30(20060101);B01J23/68(20060101);C02F103/38(20060101)

参考文献:

正在载入数据...

二级参考文献:

正在载入数据...

耦合文献:

正在载入数据...

引证文献:

正在载入数据...

二级引证文献:

正在载入数据...

同被引文献:

正在载入数据...

版权所有©重庆科技学院 重庆维普资讯有限公司 渝B2-20050021-7
 渝公网安备 50019002500408号 违法和不良信息举报中心