文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN202010884582.X

申 请 日：20200828

发 明 人：朱坤峰 张广胜 杨永晖 钟怡 崔伟 谭开洲 黄东 钱呈 杨法明 张培健

申 请 人：重庆中科渝芯电子有限公司 中国电子科技集团公司第二十四研究所

申请人地址：401332 重庆市沙坪坝区西园二路98号

公 开 日：20201211

公 开 号：CN112071757A

代 理 人：王翔

代理机构：50237 重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开一种基于BiCMOS工艺的硅锗异质结双极晶体管的制造方法，步骤为：1)生长LOCOS隔离场氧化层，形成最优硅基衬底；2)形成SiGe HBT晶体管发射极有源区与集电极有源区之间的LOCOS场氧化层、器件间用于隔离的LOCOS氧化层；3)在最优硅基衬底表面形成SiGe HBT晶体管基区窗口；4)在最优硅基衬底的表面形成SiGe HBT晶体管基区外延材料层；5)在最优硅基衬底的表面形成SiGe HBT晶体管发射区窗口；6)在最优硅基衬底表面形成SiGe HBT晶体管多晶发射结精细结构和外基区；7)在最优硅基衬底表面淀积介质层，完成金属互连，形成SiGe HBT晶体管。本发明采用局部两次氮化硅硬掩膜氧化工艺方法，减小了HBT晶体管外基区高台阶，从而减小了外基区高台阶反射对发射结多晶光刻造成的影响。

主 权 项：1.一种基于BiCMOS工艺的硅锗异质结双极晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：1)选取所述硅基衬底。2)利用一次氮化硅硬掩膜方法在SiGeHBT晶体管发射极有源区和集电极有源区之间生长LOCOS隔离场氧化层，并对LOCOS隔离场氧化层进行湿法腐蚀，形成最优硅基衬底(100)；3)利用二次氮化硅硬掩膜方法形成SiGe HBT晶体管发射极有源区与集电极有源区之间的LOCOS场氧化层、器件间用于隔离的LOCOS氧化层；所述器件包括SiGe HBT晶体管、NMOS器件、PMOS器件；4)在最优硅基衬底(100)表面形成SiGe HBT晶体管基区窗口；5)在最优硅基衬底(100)的表面形成SiGeHBT晶体管基区外延材料层(109)；6)在最优硅基衬底(100)的表面形成SiGe HBT晶体管发射区窗口；7)在最优硅基衬底(100)表面形成SiGe HBT晶体管多晶发射结精细结构和外基区；8)在最优硅基衬底(100)表面淀积介质层(114)，完成金属的互连，形成完整的SiGeHBT晶体管。

关 键 词：硅基衬  表面形成  晶体管 外基区  晶体管基区  发射结 高台阶 氧化层 减小  源区  硅锗异质结双极晶体管  晶体管发射极  外延材料层  表面淀积  场氧化层  金属互连  精细结构  氧化工艺  氮化硅  发射区  隔离场 集电极  介质层  硬掩膜  多晶  反射  隔离  生长  制造  

IPC专利分类号：H01L21/331(20060101)