文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201910569285.3

申 请 日：20190627

发 明 人：朱辉 肖秀光

申 请 人：比亚迪股份有限公司 深圳比亚迪微电子有限公司

申请人地址：518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号

公 开 日：20201229

公 开 号：CN112151619A

代 理 人：曹寒梅

代理机构：11447 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：本公开涉及一种碳化硅MOSFET及其制造方法以及电子设备，能够得到更低的导通电阻，并通过自对准的方式形成有源区，降低了工艺成本和复杂度。该碳化硅MOSFET包括：碳化硅衬底；第一掺杂类型的漂移区，其位于所述碳化硅衬底上；沟槽，所述沟槽延伸到所述漂移区中，而且在所述沟槽内形成有栅极结构；第二掺杂类型的碳化硅阱区，其位于所述沟槽两侧的所述漂移区上，其中所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反；第二掺杂类型的硅阱区，其位于所述碳化硅阱区上；源区和源接触区，其位于所述硅阱区上。

主 权 项：1.一种碳化硅MOSFET，其特征在于，包括：碳化硅衬底(401)；第一掺杂类型的漂移区(402)，其位于所述碳化硅衬底(401)上；沟槽，所述沟槽延伸到所述漂移区(402)中，而且在所述沟槽内形成有栅极结构；第二掺杂类型的碳化硅阱区(403)，其位于所述沟槽两侧的所述漂移区(402)上，其中所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反；第二掺杂类型的硅阱区(408)，其位于所述碳化硅阱区(403)上；源区(409)和源接触区(411)，其位于所述硅阱区(408)上。

关 键 词：掺杂类型  碳化硅  漂移区 碳化硅MOSFET  衬底  硅阱  源区  阱区  导通电阻 电子设备 工艺成本  源接触区  栅极结构 复杂度  自对准 延伸  制造  

IPC专利分类号：H01L29/786(20060101); H01L29/267(20060101); H01L21/336(20060101)