文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN202011102682.9

申 请 日：20201015

发 明 人：赵顺 杨亚峰 王毅

申 请 人：扬州扬杰电子科技股份有限公司

申请人地址：225008 江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期

公 开 日：20210115

公 开 号：CN112233967A

代 理 人：郭翔

代理机构：32283 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：一种改善背面金属与衬底Si脱落异常的加工方法。涉及一种芯片背面减薄后的去应力清洗工艺，尤其涉及一种改善背面金属与衬底Si脱落异常的加工方法。提供了一种提高背面金属与Si之间的结合力的一种改善背面金属与衬底Si脱落异常的加工方法。本发明主要改进了硅腐蚀液的配方，常温下，硅单质在纯HF中的腐蚀速率很小，可忽略为不反应，但是如果加入HNO<Sub>3</Sub>,腐蚀速率会大大增加，其中HNO<Sub>3</Sub>作为氧化剂氧化了单质Si。利用硝酸的强氧化性，先将Si氧化为SiO<Sub>2</Sub>，再由HF将二氧化硅去除。缓冲剂提供H+来源，使腐蚀速率能够保持稳定。本发明具有加工简便，提升背面结合力等特点。

主 权 项：1.一种改善背面金属与衬底Si脱落异常的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：1）、将硅片的正面贴膜；2）、背面研磨至设定尺寸；3）、清洗；3.1）硅腐蚀液配比；将浓度为70%的HNO₃、浓度为49%的HF和浓度为96%的H₂SO₄混合制备而成硅腐蚀液；3.2）将经过步骤2）的硅片依次放入特氟龙片架上；3.3）将承载硅片的特氟龙片架放入硅腐蚀液中；3.4）冲水、甩干。

关 键 词：背面  衬底 金属 结合力  腐蚀  加工  缓冲剂  二氧化硅去除  氧化剂  强氧化性 清洗工艺 芯片背面  常温下  硅单质  硅腐蚀  去应力 硝酸  单质 减薄  配方  改进  

IPC专利分类号：H01L21/02(20060101);C09K13/08(20060101)