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专利详细信息

一种非易失存储器件写擦除的磨损均衡方法       

文献类型:专利

专利类型:发明专利

是否失效:

是否授权:

申 请 号:CN202110375640.0

申 请 日:20210408

发 明 人:王蕊 郑璐 罗勇 方伟

申 请 人:武汉导航与位置服务工业技术研究院有限责任公司

申请人地址:430200 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道980号(自贸区武汉片区)

公 开 日:20210716

公 开 号:CN113127377A

代 理 人:胡建平

代理机构:42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司

语  种:中文

摘  要:本发明提供了一种非易失存储器件写擦除的磨损均衡方法,通过对存储区间分块保证了读写的实时性,通过循环均匀读写解决非易失存储器件的磨损均衡问题,实现了延长非易失存储器件的实际有效使用寿命的功能。本发明根据读写数据的大小自适应的调整所需存储区间的容量和分块颗粒度大小,在读写效率、资源损耗和器件生命周期各个指标达到平衡。本发明不需要挂载文件系统,不受限于操作系统类型及CPU型号。

主 权 项:1.一种非易失存储器件写擦除的磨损均衡方法,其特征在于:包括以下步骤:S1:根据读写数据的时间间隔、数据的长度、非易失存储器件的寿命要求计算所需要的区间块的大小,并将非易失存储器件分为若干个区间块;设读指针readPointer、写指针writePointer用于指向正在读写的非易失存储器件的地址,读指针readPointer、写指针writePointer在易失存储器件中维护;S2:根据读写非易失存储器件的实时性要求和实际读写速率把区间块分为若干个Sector,并为第m个Sector编号为Sector m;设Sector指针SectorPointer用于指向正在读写的Sector的地址,将正在进行读写操作的Sector m的序号SectorNum保存在非易失存储器件中;S3:向非易失存储器件读写数据,每读写完一个Sector,Sector指针SectorPointer加1指向下一个Sector直到读写完所有Sector,并保存Sector指针SectorPointer至非易失存储器件中;再将Sector指针SectorPointer指向第一个Sector,循环执行本步骤。

关 键 词:非易失存储器件  存储区间  磨损均衡  读写 分块  操作系统类型  有效使用寿命 读写数据 生命周期  文件系统  循环均匀  资源损耗 颗粒度 实时性  自适应  擦除 挂载  受限  平衡  保证  

IPC专利分类号:G06F12/02(20060101)

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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二级引证文献:

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同被引文献:

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