文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN202110640310.X

申 请 日：20210609

发 明 人：樊玉勤 谭仁兵 姚雪

申 请 人：重庆科技学院

申请人地址：400000 重庆市沙坪坝区大学城东路20号

公 开 日：20210917

公 开 号：CN113398818A

代 理 人：刘英

代理机构：44728 深圳至诚化育知识产权代理事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：本发明实施例提供了一种基于交变磁场扰动的磁流变液抗沉降存储装置，该装置包括磁流变液存储器；隔磁底座；第一亥姆霍兹线圈、第二亥姆霍兹线圈、第三亥姆霍兹线圈和第四亥姆霍兹线圈；第一电源组件以及第二电源组件；第一电源组件与第一亥姆霍兹线圈和第三亥姆霍兹线圈连接，用于为第一亥姆霍兹线圈和第三亥姆霍兹线圈供电；第二电源组件与第二亥姆霍兹线圈和第四亥姆霍兹线圈连接，用于为第二亥姆霍兹线圈和第四亥姆霍兹线圈供电；其中，磁流变液存储器设于隔磁底座上，第一亥姆霍兹线圈、第二亥姆霍兹线圈、第三亥姆霍兹线圈和第四亥姆霍兹线圈分别设于隔磁底座，且将磁流变液存储器包围。

主 权 项：1.一种基于交变磁场扰动的磁流变液抗沉降存储装置，其特征在于，包括：磁流变液存储器；隔磁底座；第一亥姆霍兹线圈、第二亥姆霍兹线圈、第三亥姆霍兹线圈和第四亥姆霍兹线圈；第一电源组件以及第二电源组件；所述第一电源组件与所述第一亥姆霍兹线圈和所述第三亥姆霍兹线圈连接，用于为所述第一亥姆霍兹线圈和所述第三亥姆霍兹线圈供电；所述第二电源组件与所述第二亥姆霍兹线圈和所述第四亥姆霍兹线圈连接，用于为所述第二亥姆霍兹线圈和所述第四亥姆霍兹线圈供电；其中，所述磁流变液存储器设于所述隔磁底座上，所述第一亥姆霍兹线圈、所述第二亥姆霍兹线圈、所述第三亥姆霍兹线圈和所述第四亥姆霍兹线圈分别设于所述隔磁底座上，且将所述磁流变液存储器包围。

关 键 词：亥姆霍兹线圈 磁流变液 电源组件 存储器  隔磁  底座  存储装置 交变磁场 抗沉降  供电  扰动  包围  

IPC专利分类号：B01F13/08(20060101);B65D25/02(20060101);H01F7/20(20060101)