文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN202110760675.6

申 请 日：20210706

发 明 人：张克栋 崔铮 周健 陈晓跃 郭兵 周姣

申 请 人：苏州纳格光电科技有限公司

申请人地址：215000 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号F栋201-P206室

公 开 日：20240112

公 开 号：CN113514163B

代 理 人：韩晓斌

代理机构：淮安市科翔专利商标事务所

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种温度检测器件，其特征在于，包括：基底，所述基底具有相对设置的第一表面以及第二表面；检测电极，所述基底第一表面设有检测区域，所述检测区域设有连续凹陷结构，所述凹陷结构中设有导电材料，形成检测电极；搭接电极，所检测电极的两端分别设有搭接电极，所述搭接电极与所述检测电极电性连接。本发明技术方案提供的一种温度检测器件，所述检测电极通过凹陷结构形成，通过控制凹陷结构的宽度以及深度可以有效的控制检测电极的电阻，这样可以很大程度上简化制备工艺，检测电极的检测准确性更高，而且通过凹陷结构可以将宽度做的很小，这样可以节约材料，可以使得器件的体积更小。

主 权 项：1.一种温度检测器件，其特征在于，包括：/n基底，所述基底具有相对设置的第一表面以及第二表面；/n检测电极，所述基底第一表面设有检测区域，所述检测区域设有连续凹陷结构，所述凹陷结构中设有导电材料，形成检测电极；/n搭接电极，所述检测电极的两端分别设有搭接电极，所述搭接电极与所述检测电极电性连接；/n其中，检测电极满足如下公式：T =(PT *L- R0(W*(H-h)))/(R0(W*(H-h)) *A),T为待测温度，L为检测电极长度，PT为单位面积内物质对电子阻碍参量，R0为0℃检测电极的电阻，W为凹陷结构的宽度，H为凹陷结构的深度，h为凹陷结构没有设导电材料的深度，A为常数。/n

关 键 词：检测电极 凹陷结构  电极 搭接 基底 温度检测器件  第一表面  检测区域  简化制备工艺  导电材料 第二表面  电性连接  节约材料  控制检测  相对设置  电阻  检测  

IPC专利分类号：G01K7/16