文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN202010543274.0

申 请 日：20200615

发 明 人：潘明军 刘柏男 罗飞

申 请 人：溧阳天目先导电池材料科技有限公司

申请人地址：213300 江苏省常州市溧阳市昆仑街道泓口路218号C幢132室(江苏中关村科技产业园内)

公 开 日：20211217

公 开 号：CN113809310A

代 理 人：李楠

代理机构：11539 北京慧诚智道知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：本发明涉及一种硼掺杂软碳包覆硅基锂离子负极材料及其制备方法和应用。以含硼气源或者高沸点含硼化合物为掺杂材料，将掺杂材料的蒸气与预先加热好的硅源蒸气在1200℃‑1700℃进行气相混合反应1‑24小时，得到硼掺杂氧化亚硅材料；其中，所述硅源蒸气为硅蒸气与二氧化硅蒸气的混合蒸气；所述含硼气源为在常温下为气态的含硼化合物，所述高沸点含硼化合物为在常温下为液态或固态的含硼化合物；将硼掺杂氧化亚硅材料冷却至室温并出料破碎筛分；将破碎筛分后的物料进行飞行时间二次离子质谱分析测试，确认硼掺在氧化亚硅中的掺杂均匀性是否满足预设条件；将掺杂均匀性满足预设条件的物料进行碳包覆，即得硼掺杂硅基锂离子电池负极材料。

主 权 项：1.一种硼掺杂软碳包覆硅基锂离子负极材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：以含硼气源或者高沸点含硼化合物为掺杂材料，将掺杂材料的蒸气与预先加热好的硅源蒸气在1200℃-1700℃进行气相混合反应1-24小时，得到硼掺杂氧化亚硅材料；其中，所述硅源蒸气为硅蒸气与二氧化硅蒸气的混合蒸气；所述含硼气源为在常温下为气态的含硼化合物，所述高沸点含硼化合物为在常温下为液态或固态的含硼化合物；将硼掺杂氧化亚硅材料冷却至室温并出料破碎筛分；将破碎筛分后的物料进行飞行时间二次离子质谱分析测试，确认硼掺在氧化亚硅中的掺杂均匀性是否满足预设条件；将掺杂均匀性满足预设条件的物料进行碳包覆，即得硼掺杂硅基锂离子负极材料。

关 键 词：含硼化合物  氧化亚硅  硼掺杂 掺杂均匀性  掺杂材料  预设条件  常温下  高沸点 硅源  硼气  破碎  飞行时间二次离子质谱  制备方法和应用  离子电池负极  材料冷却  二氧化硅  分析测试  负极材料  混合反应  混合蒸气  硼掺杂硅  硅蒸气  碳包覆 锂离子  包覆  出料  硅基 基锂  软碳  加热  

IPC专利分类号：H01M4/38(20060101);H01M4/62(20060101);H01M10/0525(20100101);H01M10/42(20060101)