文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN202111249858.8

申 请 日：20211026

发 明 人：王海涛 赖富强 苏俊磊 黄兆辉 王敏 刘源琦 蒋国强 张晓树 夏小雪 刘粤蛟 臧永钤 欧发辉

申 请 人：重庆科技学院

申请人地址：401331 重庆市沙坪坝区大学城东路20号

公 开 日：20220607

公 开 号：CN113989433B

代 理 人：韩慧芳

代理机构：重庆蕴博君晟知识产权代理事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：本发明提供一种基于孔隙类型细分的缝洞型储层饱和度模型建立方法，包括以下步骤，步骤1：确定缝洞型储层孔隙类型；步骤2：基于缝洞型储层中的孔隙类型，进行饱和度模型分析；步骤3：建立缝洞型储层饱和度模型；步骤4：确定饱和度模型参数；步骤5：依据所述饱和度模型和饱和度参数进行饱和度计算。本发明解决了现有技术在各向异性储层中的饱和度模型中孔隙指数m和饱和度指数n变化范围大(不适用性)的问题。

主 权 项：1.一种基于孔隙类型细分的缝洞型储层饱和度模型建立方法，其特征在于，包括以下步骤，步骤1：确定缝洞型储层孔隙类型；步骤2：基于缝洞型储层中的孔隙类型，进行饱和度模型分析；步骤3：建立缝洞型储层饱和度模型；步骤4：确定饱和度模型参数；步骤5：依据所述饱和度模型和饱和度参数进行饱和度计算；所述步骤3包括，步骤3.1.基于孔隙类型划分和不同类型孔隙串并联导电耦合关系，建立岩心完全含水条件下的孔隙度模型；采用以下公式将基质孔隙与裂缝构成复合系统电阻率R_fo表示为基质孔隙电阻率R₀与裂缝孔隙电阻率并联结果 式中,γ₂＝φ₂/φ，表明裂缝孔隙度φ₂占总孔隙度φ的比值，R_w表示地层水电阻率，R₀表示100％饱含地层水岩石电阻率，m_b表示基质孔隙部分对应孔隙度指数，φ_fracture为裂缝孔隙度，φ_vug为溶蚀孔洞孔隙度，φ为总孔隙度；采用以下公式建立裂缝与基质孔隙发育岩心的孔隙度模型 Φ_m表示基质孔隙的孔隙度，FF表示地层因素，m_ex为孔隙度指数；步骤3.2.基于孔隙类型划分和不同类型孔隙串并联导电耦合关系，采用以下公式建立基质孔隙与裂缝发育的部分含水岩心的饱和度导电模型：