文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN202210375765.8

申 请 日：20220411

发 明 人：徐华龙 张敏 韩万飞 任攀栋 孟鲁斌 王明力 逯国生 张博 安寒刚 马金浩

申 请 人：中国人民解放军69007部队

申请人地址：830000 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市水磨沟区五星北路146号

公 开 日：20220708

公 开 号：CN114721031A

代 理 人：刘鹏

代理机构：徐州拉沃智佳知识产权代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种新型核辐射闪烁探测器，包括NaI(Tl)晶体、光导、硅光电二极管、I‑F变换电路，所述光导设在NaI(Tl)晶体和硅光电二极管之间，所述硅光电二极管与I‑F变换电路相连，所述I‑F变换电路上设有低压电源接口；在所述NaI(Tl)晶体、光导、硅光电二极管光敏面之间的接触面上都设有光学耦合剂,所述NaI(Tl)晶体填充一层氧化镁粉末。新型闪烁探测器克服了闪烁探测器的缺点和不足，具有体积小、功耗低、不需直流高压、进入稳定状态所需时间短、性能稳定、抗干扰能力强、特别适合野战作业的优点。

主 权 项：1.一种新型核辐射闪烁探测器，其特征在于，包括NaI(Tl)晶体、光导、硅光电二极管、I-F变换电路，所述光导设在NaI(Tl)晶体和硅光电二极管之间，所述硅光电二极管与I-F变换电路相连，所述I-F变换电路上设有低压电源接口；在所述NaI(Tl)晶体、光导、硅光电二极管光敏面之间的接触面上都设有光学耦合剂, 所述NaI(Tl)晶体填充一层氧化镁粉末。

关 键 词：硅光电二极管 闪烁探测器 变换电路  光导  核辐射 抗干扰能力  氧化镁粉末  低压电源  光学耦合 野战作业  直流高压 光敏面 体积小  功耗  填充  

IPC专利分类号：G01T1/202