文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN202111582516.8

申 请 日：20211222

发 明 人：任占强 王琛琛 李青民 李波 徐斌 孟锡俊 仇伯仓 李会利 杜美本 杨欢

申 请 人：西安立芯光电科技有限公司

申请人地址：710077 陕西省西安市高新区丈八六路56号2号楼1层

公 开 日：20241112

公 开 号：CN114400505B

代 理 人：郑丽红

代理机构：西安智邦专利商标代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明提供一种用于多波长边发射半导体激光器的外延结构，主要解决现有多波长激光器光路复杂、结构复杂以及成本较高的问题。该外延结构包括由下至上依次设置的N型衬底、出射波长为λ1的量子阱单元、第一陷阱隧道结、出射波长为λ2的量子阱单元、第二陷阱隧道结、出射波长为λ3的量子阱单元和P型接触层；第一陷阱隧道结用于调制出射波长为λ1的量子阱单元、出射波长为λ2的量子阱单元激射的光场；第二陷阱隧道结用于调制出射波长为λ2的量子阱单元、出射波长为λ3的量子阱单元激射的光场；第一陷阱隧道结和第二陷阱隧道结均包括由下至上依次设置的P型陷阱层、P型重掺杂层、N型重掺杂层和N型陷阱层。

主 权 项：1.一种用于多波长边发射半导体激光器的外延结构，其特征在于：包括由下至上依次设置的N型衬底、出射波长为λ1的量子阱单元、第一陷阱隧道结、出射波长为λ2的量子阱单元、第二陷阱隧道结、出射波长为λ3的量子阱单元和P型接触层；出射波长为λ1的量子阱单元、出射波长为λ2的量子阱单元通过第一陷阱隧道结串联，第一陷阱隧道结用于调制出射波长为λ1的量子阱单元、出射波长为λ2的量子阱单元激射的光场；出射波长为λ2的量子阱单元、出射波长为λ3的量子阱单元通过第二陷阱隧道结串联，第二陷阱隧道结用于调制出射波长为λ2的量子阱单元、出射波长为λ3的量子阱单元激射的光场；所述第一陷阱隧道结和第二陷阱隧道结均包括由下至上依次设置的P型陷阱层、P型重掺杂层、N型重掺杂层和N型陷阱层；其中N型陷阱层和N型重掺杂层共同作用，将位于其上方紧邻的量子阱单元激射出的高阶模限制在N型陷阱层中，同时与P型重掺杂层作用，形成隧穿效应；P型重掺杂层与P型陷阱层共同作用，将位于其下方紧邻的量子阱单元激射出的高阶模限制在P型陷阱层中，同时与N型重掺杂层作用，形成隧穿效应，连接上下两个相邻的量子阱单元。

关 键 词：量子阱  波长 出射  隧道结 陷阱  外延结构  依次设置  陷阱层  光场 调制 边发射半导体激光器  多波长激光器 多波长 衬底  光路  

IPC专利分类号：H01S5/34; H01S5/343