文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN202210135618.3

申 请 日：20220214

发 明 人：陈瑞华 朱小明 徐卫东

申 请 人：苏州微赛智能科技有限公司

申请人地址：215200 江苏省苏州市吴江区苏州河路18号

公 开 日：20241217

公 开 号：CN114664698B

代 理 人：胡益萍

代理机构：苏州见山知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种用于半导体封装芯片分离切割飞边的工艺，包括以下步骤：将切割飞边固着在承载膜上，使切割飞边与承载膜的固着力大于良品芯片与承载膜的固着力；在承载膜背面施加作用力，使得良品芯片从承载膜上脱落，良品芯片与承载膜分离，切割飞边保持在承载膜上。本发明采用将切割飞边和不良品芯片牢固的固定在承载膜上的方式，然后通过手工或超声作用于承载膜的背面，依据对承载膜的附着差异，将良品芯片从承载膜上剥离下来，而切割飞边和不良品芯片则保持在承载膜上，实现良品芯片与切割飞边和不良品芯片的分离；大大减少了铲飞边的人工，容易实现自动化，工艺简单，可极大地提高生产效率，同时提高半导体封装芯片的良品率。

主 权 项：1.一种用于半导体封装芯片分离切割飞边的工艺，其特征在于，包括以下步骤：（1）通过激光照射切割飞边或切割飞边下方的承载膜或通过点胶，通过激光照射不良品芯片或不良品芯片下方的承载膜，将切割飞边和不良品芯片固着在承载膜上，使切割飞边与承载膜的固着力、不良品芯片与承载膜的固着力均大于良品芯片与承载膜的固着力；（2）在承载膜背面施加作用力，使得良品芯片从承载膜上脱落，良品芯片与承载膜分离，切割飞边保持在承载膜上。

关 键 词：切割  良品  飞边 芯片 半导体封装芯片  不良品  超声作用 良品率 背面  生产效率  附着  固着 自动化  剥离  施加  

IPC专利分类号：H01L21/67;H01L21/683;B29C37/02