专利详细信息
Mg2Si单晶体、Mg2Si单晶基板、红外线受光元件以及Mg2Si单晶体的制造方法
文献类型：专利
专利类型：发明专利
是否失效：否
是否授权：否
申 请 号：CN202180001913.3
申 请 日：20210225
申 请 人：国立大学法人茨城大学 JX金属株式会社
申请人地址：日本茨城县水户市
公 开 日：20230307
公 开 号：CN115768930A
代 理 人：吕琳;朴秀玉
代理机构：北京品源专利代理有限公司
语 种：中文
摘 要：本发明提供一种良好地抑制了晶体内的小角度晶界的产生的Mg<Sub>2</Sub>Si单晶体。本发明是一种Mg<Sub>2</Sub>Si单晶体，其通过XRD测定出的晶体取向的偏差在±0.020°的范围内。
主 权 项：1.一种Mg2Si单晶体，其通过XRD测定出的晶体取向的偏差在±0.020°的范围内。
关 键 词：单晶体 晶体取向 晶界
IPC专利分类号：C30B29/10;C30B11/08;H01L31/10
参考文献：
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耦合文献：
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引证文献：
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二级引证文献：
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同被引文献：
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