文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN202211091092.X

申 请 日：20220907

发 明 人：石永明 罗飞

申 请 人：溧阳天目先导电池材料科技有限公司

申请人地址：213300 江苏省常州市溧阳市昆仑街道上上路87号15栋办公楼3层

公 开 日：20221011

公 开 号：CN115172865A

代 理 人：戴燕

代理机构：北京慧诚智道知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种复合固态电解质膜片及其制备方法和应用,复合固态电解质膜片包括:多孔固态电解质膜片和纳米硅;其中,复合固态电解质膜片以多孔固态电解质膜片作为骨架,通过气相沉积法将硅源材料的气体分解后的硅沉积到多孔固态电解质膜片的孔隙内成核生长为纳米硅制备得到;纳米硅的含量由复合固态电解质膜片的第一面到第二面在厚度方向上递减;纳米硅的质量占多孔固态电解质膜片的质量的百分比为20%‑90%；复合固态电解质膜片的一面含硅，另一面不含硅，其与正负极的相容性好，避免短路的同时可以避免副反应的发生，同时以多孔固态电解质膜片作为骨架,可以有效抑制孔隙中的纳米硅在充放电过程中的体积膨胀，从而提高了电池的循环性能。

主 权 项：1.一种复合固态电解质膜片,其特征在于，所述复合固态电解质膜片包括: 多孔固态电解质膜片和纳米硅;其中,所述复合固态电解质膜片以所述多孔固态电解质膜片作为骨架,通过气相沉积法将硅源材料的气体分解后的硅沉积到所述多孔固态电解质膜片的孔隙内成核生长为纳米硅制备得到;所述纳米硅的含量由所述复合固态电解质膜片的第一面到第二面在厚度方向上递减;所述纳米硅的质量占所述多孔固态电解质膜片的质量的百分比为20%-90%。

关 键 词：复合固态电解质  固态电解质膜  纳米硅 膜片  制备方法和应用  充放电过程 气相沉积法 硅源材料  气体分解  体积膨胀  循环性能  有效抑制  短路  第二面  副反应  硅沉积  相容性  正负极  成核 制备  递减  电池  生长  

IPC专利分类号：H01M10/0562;H01M10/0525;B82Y30/00