文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN202211689226.8

申 请 日：20221228

发 明 人：张延忠 邓燕 赵永先 文爱新

申 请 人：泰姆瑞(北京)精密技术有限公司

申请人地址：101102 北京市通州区中关村科技园区通州园金桥科技产业基地景盛南四街15号12G

公 开 日：20230131

公 开 号：CN115654913A

代 理 人：周磊

代理机构：北京路浩知识产权代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明涉及半导体芯片封装技术领域，提供一种半导体芯片连续封装的真空炉升降装置、治具框及系统。该真空炉升降装置，包括：第一升降单元，能够进行升降运动；加热单元，用于对治具进行加热，加热单元与第一升降单元连接；冷却升降机构，设于真空炉的对应腔室中，冷却升降机构包括：第二升降单元，能够进行升降运动；冷却单元，用于对治具进行冷却，冷却单元与第二升降单元连接。本发明的一种半导体芯片连续封装的真空炉升降装置、治具框及系统，仅需要在作业开始时放入治具，操作简便；各工序均在真空状态、惰性气体状态或还原性气氛状态下完成，降低焊接空洞率；连续焊接，不需要频繁升温和降温，减少焊接时间，焊接效率高。

主 权 项：1.一种半导体芯片连续封装的真空炉升降装置，其特征在于，包括：加热升降机构，所述加热升降机构设于半导体芯片连续封装的真空炉的对应腔室中，所述加热升降机构包括：第一升降单元，所述第一升降单元能够进行升降运动；加热单元，所述加热单元用于对治具进行加热，所述加热单元与所述第一升降单元连接；冷却升降机构，所述冷却升降机构设于半导体芯片连续封装的真空炉的对应腔室中，所述冷却升降机构包括：第二升降单元，所述第二升降单元能够进行升降运动；冷却单元，所述冷却单元用于对治具进行冷却，所述冷却单元与所述第二升降单元连接。

关 键 词：升降单元  真空炉 升降装置  治具  冷却  半导体芯片 加热单元  冷却单元  升降机构  升降运动  治具框  封装 焊接  半导体芯片封装  还原性气氛 惰性气体 焊接效率  连续焊接  真空状态  作业开始  空洞率 放入  腔室  加热  

IPC专利分类号：F27B5/05;F27B5/06;H01L21/67