文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN202410623595.X

申 请 日：20240520

发 明 人：代书雨 马倩倩 周理明 王毅

申 请 人：扬州扬杰电子科技股份有限公司

申请人地址：225008 江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期

公 开 日：20240903

公 开 号：CN118588705A

代 理 人：郭翔

代理机构：扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：单芯片集成全桥及其制备方法，涉及半导体技术领域。本案中全桥整流芯片有效利用了芯片的面积，使用本案中全桥整流芯片只需要将一个芯片进行封装，封装工艺步骤和成本降低，使用本案中全桥整流芯片可以减少四分之三的芯片使用量，功率密度是传统全桥器件的4倍。

主 权 项：1.单芯片集成全桥及其制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S100，在外延片（1）上制备第一轻掺杂N区（2）和第二轻掺杂N区（3）；在第一轻掺杂N区（2）内部制备第一重掺杂N区（4）、第一重掺杂P区（6）；在第二轻掺杂N区（3）内部制备第二重掺杂N区（5）、第二重掺杂P区（7）；步骤S200，在外延片（1）上制备第一隔离层（8），并分别在第一重掺杂N区（4）、第一重掺杂P区（6）、第二重掺杂N区（5）和第二重掺杂P区（7）处开窗；步骤S300，在第一重掺杂N区（4）、第一重掺杂P区（6）、第二重掺杂N区（5）和第二重掺杂P区（7）处制备相应的第一阴极（9）、第一阳极（11）、第二阴极（10）和第二阳极（12）；步骤S400，在外延片（1）上制备第三轻掺杂N区（13）和第四轻掺杂N区（14）；在第三轻掺杂N区（13）内部制备第三重掺杂N区（15）和第三重掺杂P区（17）；在第四轻掺杂N区（14）内部制备第四重掺杂N区（16）和第四重掺杂P区（18）；步骤S500，在外延片（1）上制备第二隔离层（19），并在第三重掺杂N区（15）、第三重掺杂P区（17）、第四重掺杂N区（16）和第四重掺杂P区（18）处开窗；步骤S600，在第三重掺杂N区（15）、第三重掺杂P区（17）、第四重掺杂N区（16）和第四重掺杂P区（18）处制备相应的第三阴极（20）、第三阳极（22）、第四阴极（21）和第四阳极（23），整个器件制备完毕。

关 键 词：芯片 全桥整流  全桥 半导体技术领域  单芯片集成  封装工艺 制备  封装

IPC专利分类号：H01L27/08;H01L23/535;H01L21/77;H01L21/768